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Le MOSFET du cannel N BS170: Pinout et équivalents

Le MOSFET BS170 N-canal est un témoignage des progrès modernes des semi-conducteurs, principalement connus pour son efficacité, sa polyvalence et sa fiabilité.Emballé sous une forme compacte à 92, ce MOSFET offre des vitesses de commutation remarquables et gère les courants jusqu'à 500 mA, ce qui le rend idéal pour diverses applications telles que la commutation à grande vitesse, l'amplification et les opérations de basse tension.Qu'il s'agisse d'alimenter les appareils à batterie ou de conduire de petits moteurs, le BS170 joue un rôle majeur dans l'amélioration des performances et de l'efficacité des systèmes électroniques.Dans cet article, nous explorerons ses applications clés, ses attributs techniques et comment il s'intègre de manière transparente dans divers conceptions.

Catalogue

Présentation BS170

Le BS170, un MOSFET à N-canal avec un package à 92, illustre le summum de l'innovation moderne des semi-conducteurs.En utilisant le processus DMOS de pointe de la pointe de la semi-conducteur de Fairchild, il manifeste une résistance impressionnante et fiable et des capacités de commutation rapides.Ces caractéristiques l'attendent à une multitude d'applications.Par exemple, il gère habilité des courants jusqu'à 500 mA et effectue des opérations à grande vitesse dans des 7 nanosecondes remarquables.Par conséquent, il devient un choix idéal pour les appareils portables et l'équipement alimenté par batterie, prouvant que la technologie de pointe peut enrichir considérablement notre vie quotidienne.

Dans le monde des applications de commutation, le BS170 se distingue en raison de son aptitude à gérer des courants élevés avec une perte de puissance minimale.Son temps de réponse alerte favorise une efficacité exceptionnelle, un trait actif pour les dispositifs demandés pour exécuter des cycles de marche rapide.Tirer parti de ce MOSFET dans de tels scénarios augmente l'efficacité opérationnelle similaire à la précision des systèmes de contrôle industriel amplifier la productivité.Par exemple, dans les systèmes de communication où le transfert de données rapide est nécessaire, les prouesses à commutation rapide du MOSFET garantissent une latence réduite et augmentent la fiabilité des performances.Cette capacité reflète l'optimisation des processus de flux de travail requis dans les paysages commerciaux compétitifs.

Servant d'amplificateur, le BS170 répond aux besoins d'amplification audio, offrant une qualité sonore claire et précise.De plus, il excelle dans l'amplification générale du signal, renforçant les signaux faibles sans bruit ni distorsion substantiel.Cette fonction ressemble à l'amélioration de la clarté des communications d'équipe, garantissant que les instructions sont compréhensibles et que les tâches sont exécutées avec précision.Le BS170 s'avère remarquablement efficace dans les applications de basse tension et de courant, telles que la petite commande du servomoteur et la conduite de la porte MOSFET de puissance.Sa fiabilité dans ces rôles peut être comparée à des instruments finement calibrés dans des expériences scientifiques qui exigent une précision et des marges d'erreur minimales, garantissant que les tâches sont méticuleusement accomplies sans place pour les erreurs.

Diagramme Pinout BS170

BS170 CAD Représentation

Symbole schématique

Empreinte PCB

Visualisation 3D

Attributs BS170

Fonctionnalité	Description
Emballer	To-92
Transistor Taper	Channel n
Vidange à la tension source (VDS)	60V (Maximum)
Grille à la tension source (VGS)	± 20V (Maximum)
Continu Désus de vidage (ID)	500mA (Maximum)
Pulsé Désus de vidage (ID)	500mA (Maximum)
Pouvoir Dissipation (PD)	830mw (Maximum)
Grille Tension de seuil (VGS (TH))	0,8 V (Minimum)
Stockage Et température de fonctionnement	-55 ° C à + 150 ° C
PB sans	Oui
Faible Compensation et tension d'erreur	Oui
Facilement Conduit sans tampon	Oui
À haute densité Conception de cellules	Minimise Résistance à l'état (RDS (ON))
Tension Petit interrupteur de signal contrôlé	Oui
Haut Capacité de courant de saturation	Oui
Robuste et fiable	Oui
Rapide Temps de commutation (tonne)	4NS

Détails techniques

Taper	Valeur
Usine Délai de mise en œuvre	11 Semaines
Contact Placage	Cuivre, Argent, boîte
Monter	À travers Trou
Montage Taper	À travers Trou
Emballer / Cas	À 226-3, To-92-3 (à 226aa)
Nombre des épingles	3
Fournisseur Package de périphérique	To-92-3
Poids	4.535924G
Actuel - drain continu (id) @ 25 ℃	500mA Faire
Conduire Tension (max rds on, min rds on)	10V
Nombre des éléments	1
Pouvoir Dissipation (max)	830mw Faire
Opération Température	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Conditionnement	En gros
Publié	2005
Partie Statut	Actif
Humidité Niveau de sensibilité (MSL)	1 (Illimité)
Résistance	5 ohm
Max Température de fonctionnement	150 ° C
Min Température de fonctionnement	-55 ° C
Tension - DC classé	60V
Actuel Notation	500mA
Base Numéro de pièce	BS170
Tension	60V
Élément Configuration	Célibataire
Actuel	5A
Pouvoir Dissipation	830mw
Fet Taper	Channel n
RDS Sur (max) @ id, vgs	5 ohm @ 200mA, 10V
VGS (TH) (Max) @ id	3V @ 1 ma
Saisir Capacité (ciss) (max) @ vds	40pf @ 10v
Vidange à la tension source (VDSS)	60V
Vgs (Max)	± 20V
Continu Désus de vidage (ID)	500mA
Seuil Tension	2.1 V
Grille à la tension source (VGS)	20V
Vidange à la tension de panne de source	60V
Saisir Capacitance	24pf
Vidange à la résistance à la source	5 ohm
RDS Sur max	5Ω
Nominal Vgs	2.1 V
Hauteur	5,33 mm
Longueur	5,2 mm
Largeur	4.19 mm
ATTEINDRE SVHC	Non SVHC
Radiation Durcissement	Non
Rohs Statut	Rohs3 Conforme
Plomb Gratuit	Plomb Gratuit

Substituts BS170

Numéro de pièce	Description	Fabricant
ND2406L-T1TRANSISTORS	Petit Transistor à effet de champ de signal, 0,23a i (d), 240V, 1 élément, canal n, Silicon, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, à 226aa, à 92, 3 broches	Vishay Siliconix
Bsn20bk- transistors	Petit Transistor à effet de champ de signal, 0,265a i (d), 60V, 1 élément, canal n, Silicon, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, à 236AB	Nexperia
VN1310N3P015TRANSISTORS	Petit Transistor à effet de champ de signal, 0,25a i (d), 100v, 1 élément, canal n, Silicon, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, à 92	Supertex Inc
VN1710LP018TRANSISTORS	Petit Transistor à effet de champ de signal, 0,22a i (d), 170v, 1 élément, canal n, Silicon, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, à 92	Supertex Inc
MPF6659TRANSISTORS	2000mA, 35V, N-canal, Si, petit signal, MOSFET, TO-92	Motorola Mobility LLC
SST4118T1TRANSISTORS	Petit Transistor à effet de champ signal, 1 éléments, canal n, silicium, fet de jonction, Emballage en plastique-3	Calogique Inc
Bs208-amotransiste	TRANSISTOR 200 Ma, 200 V, P-channel, Si, petit signal, MOSFET, TO-92, FET GÉNÉRAL But Small Signal	Nxp Semi-conducteurs
SD1106DDTRANSISTORS	Pouvoir Transistor à effet de champ, canal n, FET semi-conducteur en oxyde de métal	Topaze Semi-conducteur
BSS7728E6327TRANSISTORS	Petit Transistor à effet de champ de signal, 0,15a i (d), 60v, 1 élément, canal n, Silicon, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, SOT-23, 3 broches	Infineon Technologies AG
2SK1585-T2TRANSISTORS	Petit Transistor à effet de champ de signal, 1a i (d), 16v, 1 élément, canal n, silicium, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, puissance, mini-moule, SC-62, 3 broches	Nec Groupe électronique

Équivalents BS170

2N7000

2N7002

VQ1000J

VQ1000P

IRLML2502

Exploration des applications de BS170

Le MOSFET BS170 montre une utilité remarquable dans les fonctions de commutation et d'amplification, ce qui en fait un composant de base dans divers conceptions électroniques.

Applications de commutation

Gestion des charges jusqu'à 500mA, le BS170 est bien adapté pour les dispositifs de conduite tels que les relais, les LED et les petits moteurs.Cette capacité de manipulation de charge est principalement avantageuse dans les projets basés sur des microcontrôleurs, notamment ceux qui utilisent des plates-formes comme Arduino et Raspberry Pi.La simplicité de contrôler le BS170 avec des signaux basse tension est en harmonie avec les caractéristiques de sortie de ces microcontrôleurs.Cette congruence permet une intégration en douceur sans nécessiter des circuits d'amplification supplémentaires.Dans les applications pratiques, vous pouvez souvent vous tourner vers le BS170 pour l'interfaçage avec les relais, concevant des méthodes pour changer de charge de courant plus élevé avec une déformation minimale sur le microcontrôleur.De même, dans la gestion des tableaux LED, le BS170 excelle dans la distribution de puissance, garantissant des performances cohérentes et régulières.

Applications d'amplification

Le BS170 est également inestimable dans les scénarios d'amplification, y compris les circuits audio et l'amplification du signal de bas niveau.Son fonctionnement avec une tension de porte minimale améliore l'efficacité, active pour un contrôle précis sur les signaux de sortie.Cette efficacité est principalement chéri dans les appareils audio où la clarté et la fidélité ne peuvent pas être compromises.De plus, la capacité du BS170 à amplifier les signaux de bas niveau trouve une application notable dans des tâches de capteur sensibles.Par exemple, dans les systèmes de surveillance environnementale, la nécessité d'amplifier les signaux faibles des capteurs de température ou d'humidité sans bruit considérable est risqué.Cette amplification garantit une représentation précise des données, aidant la prise de décision plus éclairée.

Analyse comparative avec les transistors à jonction bipolaire (BJTS)

Les MOSFET et les BJTS contrôlent le courant en circuit, mais le BS170 souligne des différences distinctes dans les mécanismes de contrôle.Contrairement aux BJT, qui nécessitent un courant continu à la base pour moduler le courant de collecteur-émetteur, le BS170 n'a besoin que d'une petite tension de porte.Cet attribut diminue la consommation d'énergie et simplifie les circuits logiques de contrôle.

Sorties de microcontrôleur

Les microcontrôleurs nécessitent fréquemment un intermédiaire pour entraîner diverses charges, compte tenu de leurs sorties de niveau logique limitées.Le BS170 répond à ce besoin en acceptant des entrées basse tension et en fournissant des sorties de courant plus élevées.Cette extension de la capacité est un peu comme utiliser un adaptateur pour relier les dispositifs incompatibles, élargissant ainsi la portée opérationnelle des microcontrôleurs.

Sorties IC

Lors de l'interfaçage des circuits intégrés avec des périphériques, le BS170 agit comme un tampon pour minimiser la charge sur les sorties IC sensibles.Cette pratique est couramment observée dans l'électronique pour favoriser la fiabilité des systèmes basés sur IC, garantissant qu'ils fonctionnent en douceur sans une contrainte excessive sur les composants.

Renforcement du signal

La polyvalence du BS170 brille dans de nombreuses applications d'amplification de signal de faible puissance.Il s'avère utile dans la télémétrie, les petits circuits d'émetteur et le grossissement du signal analogique.Considérez-le comme améliorant un signal Wi-Fi faible, où chaque boost compte pour une meilleure connectivité.

Automatisation industrielle (par exemple, commandes de machine, barrières lumineuses)

Dans l'automatisation industrielle, la robustesse du BS170 est idéale pour les systèmes de contrôle des machines et les barrières lumineuses.Il change efficacement de charges élevées, garantissant un fonctionnement en douceur actif dans la réduction des temps d'arrêt et l'augmentation de la productivité.Vous pouvez compter sur ces composants pour que les systèmes fonctionnent de manière optimale.

Appareils à batterie

Pour les dispositifs alimentés par batterie, la faible consommation d'énergie et une efficacité élevée du BS170 sont nécessaires.Il prolonge la durée de vie de la batterie en minimisant le gaspillage énergétique.

Relais à semi-conducteurs

Incorporé dans de nombreux relais à l'état solide, le BS170 gère des charges substantielles avec une usure mécanique minimale, offrant un fonctionnement silencieux et une fiabilité plus élevée.Cette fonction silencieuse et fiable est un atout remarquable dans des environnements comme les dispositifs médicaux, où le bruit de commutation mécanique n'est pas souhaitable.

Pilotes d'appareil (par exemple, relais, solénoïdes, lampes)

Le BS170 est basique pour les pilotes d'appareil pour les relais, les solénoïdes et les lampes.Ses capacités de commutation fiables sont utiles pour maintenir l'intégrité opérationnelle, principalement dans les applications automobiles où la robustesse et la durabilité sont très appréciées.

Interfaces au niveau logique (TTL / CMOS)

Facilitant l'interaction entre les familles logiques TTL et CMOS, le BS170 assure une communication transparente dans différents circuits logiques.Cette intégration est active dans les conceptions de technologies mixtes, où la compatibilité des composants diversifiée et les performances du système sont dominantes.

Utilisation du BS170 pour le contrôle LED

Le MOSFET BS170 est la clé pour changer une LED dans cette configuration ultime.Pour établir cette configuration, connectez les bornes de porte et de vidange à une source d'alimentation CC 5V et fixez la LED à la borne source.Lorsqu'une impulsion de tension est appliquée à la porte, le MOSFET est activé, permettant au courant de s'écouler du drain vers la source, allumant la LED.Le retrait de l'impulsion cesse le flux de courant, éteignant la LED.

Le BS170, un MOSFET du canal N, fonctionne sur la base de la différentiel de tension entre sa porte et les bornes source.Les faits opérationnels clés comprennent que lorsque la tension de porte à source (V_GS) dépasse environ 2V, le MOSFET entre dans son état conducteur.Cette propriété garantit une commutation efficace avec une perte de puissance minimale.En raison de cette efficacité, il convient aux applications à basse tension comme basculer une LED.

Ce circuit ultime peut évoluer vers diverses applications pratiques.Par exemple, l'intégration d'un microcontrôleur pour réguler l'impulsion de porte.Cela permet à la LED de cligner des yeux à des fréquences spécifiques ou d'afficher des modèles complexes.Ces intégrations sont universelles dans les projets électroniques, des indicateurs de base aux systèmes de signalisation sophistiqués.La conception de circuits avec des MOSFET comme le BS170 exige souvent des tests itératifs pour perfectionner la tension de porte pour des performances fiables.Assurer des connexions sécurisées et une alimentation stable augmente considérablement la fiabilité du circuit.

Emballage pour BS170

Informations sur le fabricant

Sur les semi-conducteurs, est une entité à l'échelle mondiale dans les divers dominions de la puissance, de la gestion du signal, de la logique et des dispositifs personnalisés.Ils s'adressent aux secteurs couvrant l'automobile, l'électronique grand public et les soins de santé.Avec une présence stratégique qui comprend des installations et des bureaux à travers l'Amérique du Nord, l'Europe et l'Asie, et le siège social situé à Phoenix, en Arizona, en semi-conducteur est sur le point de répondre aux demandes évolutives de l'industrie.

Sur l'engagement du semi-conducteur envers les progrès technologiques, est évident dans son vaste portefeuille.Leurs produits forment l'épine dorsale des conceptions automobiles contemporaines, améliorant la sécurité des véhicules, la connectivité et l'efficacité énergétique.Cela se traduit par des avantages tangibles tels que moins d'accidents et une expérience de conduite plus fluide.

Leurs solutions de gestion des signaux jouent un rôle principal dans l'amélioration de l'électronique grand public, garantissant des expériences plus fiables et avancées.Imaginez le fonctionnement transparent de vos appareils à domicile intelligents, tous grâce à ces innovations.Dans le secteur médical, sur les dispositifs personnalisés de semi-conducteurs, facilitent les technologies de santé avancées, contribuant à améliorer les résultats des patients et à rationaliser les opérations médicales, ce qui rend les traitements plus efficaces et moins invasifs.

Composants comparables

Numéro de pièce

Fabricant

Monter

Package / étui

Égoutter la tension de la source (VDSS)

Courant de vidange continu (ID)

Courant - drain continu (id) @ 25 ° C

Tension de seuil

RDS sur Max

Tension de porte à source (VGS)

Dissipation de puissance

Dissipation de puissance-max

Voir comparer

BS170

SUR Semi-conducteur

À travers Trou

À 226-3, To-92-3 (à 226aa)

60V

500 mame

500mA (Ta)

2.1 V

5 Ω

20 V

830 MW

830mw (Ta)

BS170

BS270

SUR Semi-conducteur

À travers Trou

À 226-3, To-92-3 (à 226aa)

-

400 mame

400mA (Ta)

2.1 V

-

20 V

630 MW

625mw (Ta)

BS170 VS BS270

2N7000

SUR Semi-conducteur

À travers Trou

À 226-3, To-92-3 (à 226aa)

60V

200 mame

200m (Ta)

2.1 V

5 Ω

20 V

400 MW

400mw (Ta)

BS170 Vs 2N7000