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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQPF11N50CF
FQPF11N50CF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQPF11N50CF - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQPF11N50CF
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQPF11N50CF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FQPF11N50CF.pdf
État RoHS
En stock: 17731

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQPF11N50CF
onsemi - FQPF11N50CF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQPF11N50CF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries FRFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2055 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base FQPF11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQPF11N50CF

Attributs du produit FQPF11N50CF FQPF11P06 FQPF12N60C FQPF12N60
Modèle de produit FQPF11N50CF FQPF11P06 FQPF12N60C FQPF12N60
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2055 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 2290 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base FQPF11 FQPF11 FQPF1 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 8.6A (Tc) 12A (Tc) 5.8A (Tc)
Séries FRFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 5.5A, 10V 175mOhm @ 4.3A, 10V 650mOhm @ 6A, 10V 700mOhm @ 2.9A, 10V
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Tension drain-source (Vdss) 500 V 60 V 600 V 600 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc) 30W (Tc) 51W (Tc) 55W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -

Fiche technique FQPF11N50CF PDF

Téléchargez FQPF11N50CF PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQPF11N50CF - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
FQPF11N50CF.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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