Le IRF730 est un MOSFET robuste à canal N, polyvalent dans ses applications en raison de sa construction robuste et de sa grande efficacité.Enveloppées dans les packages à 220 et à 220AB, ce composant peut gérer un courant de drain continu jusqu'à 5,5 A à 400 V.Il prospère dans des environnements électroniques exigeants, dissipant efficacement la puissance avec une capacité jusqu'à 75 W et soutenant un courant de drain pulsé de 22A.Cela fait de l'IRF730 un choix fiable pour divers scénarios à stress élevé, démontrant sa force et sa résilience.
La capacité de l’IRF730 à gérer les charges électriques notables la rend principalement adaptée aux amplificateurs audio de haute puissance.Dans ces contextes, les caractéristiques du MOSFET garantissent une distorsion minimale du signal et des performances fiables dans des conditions intenses - une bouée de sauvetage pour rechercher un son parfait.Ceci est utilisé dans l'équipement audio où une qualité sonore cohérente est dominante.Le déploiement pratique dans les circuits d'amplificateur illustre que des appareils comme l'IRF730 contribuent considérablement à la réalisation de la fidélité de sortie souhaitée, en particulier dans les environnements audio.
L'expérience souligne l'importance d'intégrer l'IRF730 dans les circuits avec une gestion thermique soigneuse.Des stratégies comme le naufrage thermique et la conception du PCB pour maximiser la dissipation de la chaleur sont souvent utilisées pour répondre à ces besoins.Vous pouvez noter que l'optimisation de ces aspects peut prolonger extrêmement la durée de vie et la fiabilité des performances du MOSFET, ce qui en fait un aliment de base dans leurs boîtes à outils.De plus, la sélection de la tension d'entraînement de porte appropriée et la garantie d'isolement approprié dans les applications à haute tension sont nécessaires pour éviter les défaillances potentielles, exigeant une attention méticuleuse aux détails et une planification approfondie.
La stmicroélectronique prospère en tant que puissance de semi-conducteurs, largement reconnue pour sa maîtrise du développement du silicium et du système.La société excelle dans la technologie du système sur puce (SOC), soutenu par des prouesses de fabrication complètes, et un vaste portefeuille IP qui s'aligne sur les besoins en évolution de l'électronique contemporaine.
L'expertise de la stmicroélectronique dans la technologie SOC forme le pilier ultime de ses réalisations.Les SOC assument intelligemment divers éléments - procédure, unités de mémoire et périphériques - sur une seule puce, ce qui optimise l'espace et améliore les performances.Cette intégration réfléchie minimise considérablement la consommation d'énergie et stimule l'efficacité, des attributs qui sont basiques pour les appareils modernes, compacts et portables.Les innovations de l'entreprise dans ce domaine démontrent une compréhension exacte de la façon d'équilibrer harmonieusement ces composantes graves.
Les capacités de fabrication robustes de la stmicroélectronique sous-tendent sa capacité à produire des produits semi-conducteurs de haute qualité.Avec des installations de fabrication de pointe, connues sous le nom de FAB, la société impose un contrôle de qualité méticuleux tout au long du processus de production.Cette méticule assure la cohérence et la fiabilité, qui dominent l'industrie technologique farouchement compétitive.Le résultat pratique de ces capacités est un cycle de vie des produits prolongé et des taux de défaut minimisés, conduisant à une satisfaction accrue du client.
Fonctionnalité |
Spécification |
Emballer
Taper |
À 220AB,
À 220 |
Transistor
Taper |
N
Canal |
Tension maximale
(Égoutter à la source) |
400 V |
Max
Tension de porte à source |
± 20V |
Max
Courant de vidange continu |
5.5a |
Max
Courant de drain pulsé |
22a |
Max
Dissipation de puissance |
75W |
Minimum
Tension à conduire |
2V
à 4V |
Max
Température de stockage et de fonctionnement |
-55
à + 150 ℃ |
L'IRF730 est un composant polyvalent qui excelle dans divers contextes, en particulier dans des environnements à haute tension, démontrant une capacité à s'adapter et à fonctionner efficacement.Sa nature robuste prend en charge la conduite de charges jusqu'à 5,5 A et s'intègre facilement aux ICS, aux microcontrôleurs et aux plateformes de développement populaires comme Arduino et Raspberry Pi.
L'IRF730 brille dans des scénarios à haute tension en gérant des niveaux de tension remarquables avec précision et fiabilité.Cette fonctionnalité trouve une application dans les systèmes d'automatisation industrielle, où les éléments de contrôle de puissance cohérents et précis gardent les opérations lisses.Ces systèmes dépendent souvent de ces performances pour minimiser les temps d'arrêt et assurer la stabilité opérationnelle.Les systèmes d'automatisation industrielle mettent l'accent sur le contrôle de l'énergie cohérent, le fonctionnement précis et améliorent la stabilité opérationnelle.
Dans les applications à usage général, l'IRF730 se distingue par sa flexibilité.Il trouve une utilisation dans les régulateurs de commutation, les pilotes de moteur et divers conceptions de circuits, offrant des performances fiables.Cette polyvalence est inestimable dans les contextes éducatifs, où il vous aide à explorer et à mettre en œuvre une gamme de principes électroniques.Les utilisations notables dans des contextes à usage général sont dans le changement de régulateurs, les moteurs moteurs et les projets éducatifs.
L'interfaçage efficace avec les CI et les microcontrôleurs est un avantage notable de l'IRF730.Cette compatibilité en fait un composant préféré dans de nombreux systèmes intégrés.Par exemple, dans Smart Home Devices, l'IRF730 entraîne des actionneurs et des capteurs, permettant des opérations coordonnées et efficaces sous la direction d'un microcontrôleur central.Les applications dans les systèmes embarqués sont des appareils domestiques intelligents et un contrôle de l'actionneur et du capteur.
Les plateformes de développement telles que Arduino et Raspberry Pi tirent considérablement les capacités de l'IRF730.Souvent utilisés dans le prototypage et le développement, ces plateformes ont besoin de composants qui peuvent maintenir les performances à travers des cycles de développement rapides.La performance fiable de l'IRF730 vous aide à créer rapidement des conceptions stables.Les plates-formes de développement bénéficient d'environnements de prototypage, de cycles de développement rapides et de cycles de développement fiables.
S'assurer que l'IRF730 fonctionne efficacement sur le long terme implique plus que d'éviter sa capacité nominale maximale.Pousser n'importe quel composant à sa limite supérieure induit non seulement une contrainte excessive mais risque également une défaillance éventuelle.Au lieu de cela, une approche plus prudente consiste à exploiter l'IRF730 à environ 80% de ses capacités nominales.Cela fournit un tampon de sécurité qui renforce sa fiabilité et sa stabilité.
Limiter la tension de charge à 320 V, substantiellement en dessous de sa capacité de pointe, est crucial pour prévenir les pannes dans des conditions de stress élevé.De même, le contrôle du courant continu à un maximum de 4,4a et le courant pulsé à 17,6a atténue efficacement la contrainte thermique et électrique.D'un point de vue pragmatique, cette stratégie adhère aux meilleures pratiques de conception matérielle établies, où les composants de rétrécissement garantissent leur longévité et leur cohérence de performance dans les applications du monde réel.
Le maintien de températures de fonctionnement appropriées est utilisée pour l'IRF730.La plage de température recommandée s'étend de -55 ° C à + 150 ° C.Rester dans ce groupe garantit que le matériau semi-conducteur fonctionne à son meilleur, réduisant la probabilité de déménagement thermique ou d'autres expériences de défaillances liées à la chaleur indique que la surveillance et la régulation continue des températures dans ces paramètres peuvent considérablement améliorer la durée de vie des composants électroniques, y compris l'IRF730.
Taper |
Paramètre |
Monter |
Par le trou |
Type de montage |
Par le trou |
Package / étui |
À 220-3 |
Nombre d'épingles |
3 |
Matériau d'élément transistor |
Silicium |
Courant - drain continu (id) @ 25 ℃ |
5.5a TC |
Tension d'entraînement (max RDS sur, min RDS) |
10V |
Nombre d'éléments |
1 |
Dissipation de puissance (max) |
100W TC |
Désactiver le temps de retard |
15 ns |
Température de fonctionnement |
150 ° C TJ |
Conditionnement |
Tube |
Série |
PowerMesh ™ II |
Code JESD-609 |
E3 |
Statut de partie |
Obsolète |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (illimité) |
Nombre de terminaisons |
3 |
Code ECCN |
EAR99 |
Finition terminale |
Étain mat (sn) |
Fonctionnalité supplémentaire |
Haute tension, commutation rapide |
Tension - DC classée |
400 V |
Note actuelle |
5.5a |
Numéro de pièce de base |
IRF7 |
Comptage des broches |
3 |
Tension |
400 V |
Configuration des éléments |
Célibataire |
Actuel |
55A |
Mode de fonctionnement |
Mode d'amélioration |
Dissipation de puissance |
100W |
Type FET |
Channel n |
Application de transistor |
Commutation |
Rds sur (max) @ id, vgs |
1 Ω @ 3A, 10V |
Vgs (th) (max) @ id |
4V @ 250μA |
Capacité d'entrée (CISS) (max) @ VDS |
530pf @ 25v |
Charge de porte (qg) (max) @ vgs |
24 nc @ 10v |
Temps de hausse |
11 ns |
VGS (max) |
± 20V |
Temps d'automne (TYP) |
9 ns |
Courant de vidange continu (ID) |
5.5a |
Code JEDEC-95 |
À 220AB |
Tension de porte à source (VGS) |
20V |
Drainage-source sur la résistance-max |
1Ω |
Égoutter la tension de panne de source |
400 V |
Feedback Cap-max (CRSS) |
65 PF |
Durcissement des rayonnements |
Non |
Statut ROHS |
ROHS3 conforme |
Avance libre |
Contient le plomb |
L'IRF730 est un MOSFET à canal N haute performance disponible dans les forfaits dans les packages de 220 et à 220AB.Soutenant jusqu'à 5,5 A à 400 V, il dissipe 75W et gère 22A de courant pulsé.Cette fonctionnalité la rend précieuse pour les amplificateurs audio de haute puissance et d'autres applications sérieuses.Vous pouvez souvent le trouver très efficace dans les circuits qui hiérarchisent une efficacité et une fiabilité élevées.
Principalement conçu pour la commutation à grande vitesse, l'IRF730 convient à une utilisation dans les systèmes d'alimentation (UPS) sans interruption, les convertisseurs DC-DC, les équipements de télécommunication, les systèmes d'éclairage et diverses applications industrielles.Son exigence de puissance de conduite à faible porte est un actif dans les scénarios où la minimisation de la consommation d'énergie est un must.Par exemple, dans les environnements industriels exigeants, sa robustesse assure un fonctionnement fiable à long terme.
Les conditions optimales pour l'IRF730 incluent.
Tension maximale de vidange: 400 V
Tension maximale de porte-porte: ± 20V
Courant de vidange continu maximum: 5.5a
Courant de vidange pulsé maximum: 22A
Capeur de dissipation de puissance: 75W
Plage de tension de conduction: 2V à 4V
Températures de fonctionnement et de stockage: -55 à + 150 ° C
Impossible de voir que l'adhérence à ces paramètres est actif pour maximiser les performances et la durée de vie de l'IRF730, soulignant la nécessité d'une bonne gestion thermique et d'une régulation de tension.
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