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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesIRS2004STRPBF
IRS2004STRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRS2004STRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRS2004STRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRS2004STRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRS2004(S)PbF.pdf
État RoHS
En stock: 45410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRS2004STRPBF
Infineon Technologies - IRS2004STRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRS2004STRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Tension - Alimentation 10V ~ 20V  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 70ns, 35ns  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.5V  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 200 V  
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) 290mA, 600mA  
courant de charge Synchronous  
Numéro de produit de base IRS2004  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRS2004STRPBF

Attributs du produit IRS2004STRPBF IRS2004SPBF IRS2011SPBF IRS2003SPBF
Modèle de produit IRS2004STRPBF IRS2004SPBF IRS2011SPBF IRS2003SPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 200 V 200 V 200 V 200 V
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Inverting Inverting, Non-Inverting
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.5V 0.8V, 2.7V 0.8V, 2.5V
Séries - - - -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Output (Source, Évier) 290mA, 600mA 290mA, 600mA 1A, 1A 290mA, 600mA
courant de charge Synchronous Synchronous Independent Independent
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Configuration pilotée Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
Tension - Alimentation 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Rise / Fall Time (Typ) 70ns, 35ns 70ns, 35ns 25ns, 15ns 70ns, 35ns
Numéro de produit de base IRS2004 IRS2004 IRS2011 IRS2003

Fiche technique IRS2004STRPBF PDF

Téléchargez IRS2004STRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRS2004STRPBF - Infineon Technologies.

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Pays communs Référence du temps logistique
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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