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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTI45N10F7
STI45N10F7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STI45N10F7 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STI45N10F7
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STI45N10F7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Fiche technique
STx45N10F7.pdf
État RoHS
En stock: 20380

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STI45N10F7
STMicroelectronics - STI45N10F7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STI45N10F7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262)  
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 22.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc)  
Numéro de produit de base STI45N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STI45N10F7

Attributs du produit STI45N10F7 STI47N60DM6AG STI4N62K3 STI3520CV-ES
Modèle de produit STI45N10F7 STI47N60DM6AG STI4N62K3 STI3520CV-ES
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.75V @ 250µA 4.5V @ 50µA -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 22.5A, 10V 80mOhm @ 18A, 10V 2Ohm @ 1.9A, 10V -
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 50 V 2350 pF @ 100 V 550 pF @ 50 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Tc) 36A (Tc) 3.8A (Tc) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Emballer Tube Tube Tube -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Séries DeepGATE™, STripFET™ VII Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM6 SuperMESH3™ -
Numéro de produit de base STI45N STI47 STI4N62 -
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 250W (Tc) 70W (Tc) -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 600 V 620 V -
Vgs (Max) ±20V ±25V ±30V -
Package / Boîte TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Package composant fournisseur I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -

Fiche technique STI45N10F7 PDF

Téléchargez STI45N10F7 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STI45N10F7 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf
Feuilles de données
STx45N10F7.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STI45N10F7

STMicroelectronics
32D-STI45N10F7

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