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~~sur 2024/10/22~~

IRF1010E MOSFET N-Channel: Spécifications, équivalents et fiche technique

L'IRF1010E est un type de MOSFET d'amélioration des canaux N qui se démarque dans le monde des composants électroniques.Cet aperçu complet vise à explorer les subtilités de l'IRF1010E, offrant des informations sur son utilisation et ses spécifications techniques.Divers composants tels que les semi-conducteurs, les condensateurs, les résistances et les circuits intégrés sont omniprésents, chacun jouant unique et rôles.Parmi ceux-ci, les MOSFET d'amélioration des canaux N comme l'IRF1010E contribuent à l'efficacité et à la fiabilité de nombreux circuits électroniques.Leurs applications étendues couvrent les systèmes de gestion de l'alimentation, la technologie automobile et diverses opérations de commutation.

Catalogue

1. Présentation IRF1010E

2. Pinout Irf1010E

3. Symbole Irf1010E, empreinte et modèle CAO

4. IRF1010EPBF Spécifications

5. Comment implémenter le MOSFET IRF1010E?

6. Opération et utilisation IRF1010E

7. Caractéristiques du MOSFET IRF1010E

8. Applications de IRF1010E

9. Emballage IRF1010E

10. Informations sur les fabricants IRF1010E

Présentation IRF1010E

Le Irf1010e est un MOSFET d'amélioration du canal N qui excelle dans les applications de commutation à grande vitesse.Sa conception minimise la résistance pendant le fonctionnement, ce qui en fait un dispositif contrôlé à tension à haute efficacité où la tension de porte régule son état de commutation.Cette opération rationalisée joue un rôle dans de nombreuses applications électroniques, garantissant une faible perte de puissance et des performances élevées.

Modèles comparables IRF1010E

• Irf1010epbf

• Irf1010ezpbf

• Irf1018epbf

• Irf1010npbf

• RFP70N06

• IRF1407

• IRFB4110

• IRFB4110G

• IRFB4115

• IRFB4310Z

• IRFB4310ZG

• IRFB4410

• RFP70N06

IRF1010E Pinout

IRF1010E N-Channel MOSFET Pinout

Numéro d'épingle	Nom de broche	Description
1	GRILLE	Agit comme le terminal de contrôle, modulant le flux de courant entre le drain et la source.Utiliser dans la commutation d'applications qui exiger un contrôle précis sur le moment et la précision.
2	VIDANGE	Sert de point de sortie pour le courant qui coule à travers le MOSFET, souvent connecté à la charge.La conception autour du drain, y compris Stratégies de refroidissement pour l'efficacité.
3	SOURCE	Le point d'entrée pour le courant, généralement connecté au chemin de terre ou de retour.Une gestion efficace est nécessaire pour l'appareil Performance de fiabilité et de bruit.

Symbole IRF1010E, empreinte et modèle CAO

IRF1010E Symbol

IRF1010E Footprint

IRF1010E 3D Model

IRF1010EPBF Spécifications

L'IRF1010E par Infineon Technologies présente des spécifications techniques et comprend des attributs tels que les cotes de tension, la manipulation du courant et les caractéristiques thermiques.L'IRF1010EPBF partage des spécifications similaires, adaptées à des utilisations comparables dans les circuits électroniques.

Taper	Paramètre
Monter	Par le trou
Note actuelle	3.4 A
Nombre d'épingles	3
Matériau d'élément transistor	SILICIUM
Dissipation de puissance (max)	20 W
Température de fonctionnement (min)	-55 ° C
Température de fonctionnement (max)	150 ° C
Statut de partie	Actif
Configuration	CÉLIBATAIRE
Terminaux	Axial
RDSON (en résistance)	0,025 ohm
Évaluation actuelle (max)	4.2 A
Tension - RDS (ON) Test	5V
Application de transistor	Commutation
Polarité	Channel n
Gain (hfe / ß) (min) @ ic, vce	50 @ 2,5a, 10v
VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC	1,6 V @ 3,2A, 5V
Courant de vidange continu (ID)	3.4a
VGS (TH) (tension de seuil de porte)	2.0-4.0v
Le courant de vidange (max)	4.2a
Charge de porte totale (QG)	72 NC
Temps de hausse	70ns
Temps d'automne	62ns
Tension - seuil de porte (VGS)	4V
Vension de porte à source (max)	20V
Égoutter la résistance à la source	0,02 ohm
Tension nominale	40V
Largeur	4.19 mm
Hauteur	4,57 mm
Rayonnement endurci	Non
Emballer	À 220a
Atteindre SVHC	Non
Rohs conforme	Oui
Avance libre	Oui

Comment implémenter le MOSFET IRF1010E?

L'IRF1010E excelle dans la commutation à grande vitesse, pour les charges de puissance moyenne.Sa résistance notamment faible minimise les chutes de tension et restreint la perte de puissance, ce qui en fait un choix idéal pour des applications précises et exigeantes.Les scénarios nécessitant une efficacité exceptionnelle bénéficient considérablement de cette fonctionnalité.L'efficacité des systèmes de gestion de l'énergie peut être observée grâce à l'optimisation de la consommation d'énergie par l'IRF1010E.À mesure qu'il réduit la perte de puissance, ce MOSFET facilite les besoins de dissipation thermique plus faibles et améliore la stabilité globale du système.Ceci est avantageux dans les environnements avec des options d'espace et de refroidissement limitées.Sa mise en œuvre dans des systèmes énergétiques avancés montre des applications pratiques telles que l'équilibre dynamique des charges d'alimentation et l'activation de durée de vie opérationnelle plus longue pour les systèmes basés sur batterie.Les contrôleurs de moteur bénéficient des capacités de commutation à haut débit de l'IRF1010E.Le contrôle précis de la dynamique de commutation assure les opérations de moteur électrique plus lisses, améliorant les performances et la longévité.Les implémentations pratiques révèlent d'obtenir une efficacité de couple plus élevée et une réduction de l'usure, réduisant ainsi les coûts de maintenance.

Opération et utilisation IRF1010E

IRF1010E Application Circuit

Dans le circuit d'échantillon, un moteur agit comme la charge et une unité de commande administre le signal de déclenchement.Les efforts concertés de résistances, de diviseurs de tension et du MOSFET assurent les performances maximales.Les résistances R1 et R2 forment un diviseur de tension qui fournit la tension de porte nécessaire.Cette tension de porte, influencée par la tension de déclenchement de l'unité de commande (V1) et de la tension de seuil de porte du MOSFET (V2), exige une précision d'une réponse précise du système aux signaux de contrôle.

Les valeurs de résistance affineuses influencent profondément la sensibilité du seuil et l'efficacité globale du système.Dans les contextes industriels où les moteurs exigent un contrôle précis, l'ajustement du diviseur de tension empêche des problèmes comme un faux déclenchement ou une réponse retardée.Lorsque la tension de porte dépasse le seuil, le MOSFET s'active, permettant au courant de circuler dans le moteur, l'engageant ainsi.Inversement, lorsque le signal de commande baisse, la tension de la porte diminue, désactivant le MOSFET et arrêtait le moteur.

La vitesse et l'efficacité du processus de commutation charnièrent sur les variations de tension de la porte.Assurer des transitions pointues améliore les performances et la durabilité du moteur.La mise en œuvre du blindage et du filtrage appropriés augmente la fiabilité du circuit, en particulier dans les environnements fluctuants comme les applications automobiles.Le rôle de l'unité de contrôle est au cœur des fonctionnalités de l'IRF1010E.Il fournit la tension de déclenchement qui définit le niveau de tension de porte pour le MOSFET.Le maintien d'une intégrité de signal de contrôle élevé est nécessaire, car les fluctuations ou le bruit peuvent entraîner un comportement MOSFET imprévisible, ce qui a un impact sur les performances du moteur.

Caractéristiques du MOSFET IRF1010E

Technologie de processus de pointe

L'IRF1010E utilise une technologie de processus sophistiquée, qui montre ses performances impressionnantes.Une telle technologie garantit le fonctionnement efficace du transistor dans diverses conditions, ce qui est particulièrement utilisé dans les applications semi-conductrices exigeant la précision et la fiabilité.Cette progression améliore la durabilité et la durée de vie opérationnelles du MOSFET.

Remarquablement bas sur la résistance

Une caractéristique déterminante de l'IRF1010E est sa résistance exceptionnellement faible (RDS (ON)).Cette caractéristique atténue les pertes de puissance pendant le fonctionnement, augmentant ainsi l'efficacité.Il devient particulièrement utilisé dans les domaines sensibles à l'énergie comme les véhicules électriques et les systèmes d'énergie renouvelable, où l'efficacité électrique est une priorité.La diminution de la résistance entraîne également une réduction de la production de chaleur, améliorant la gestion thermique du système.

Note DV / DT élevée

L'IRF1010E excelle avec une note DV / DT élevée, présentant sa capacité à gérer les fluctuations de tension rapide axée sur la tension.Ce trait est excellent dans les scénarios de changement rapide, où le MOSFET doit répondre rapidement sans dégradation des performances.Une telle capacité DV / DT élevée est avantageuse dans l'électronique de puissance, garantissant la stabilité du système et les performances même dans des conditions de commutation rapides.

Température de fonctionnement robuste de 175 ° C

La capacité de fonctionner à des températures jusqu'à 175 ° C est une autre qualité exceptionnelle de l'IRF1010E.Les composants qui maintiennent la fiabilité à des températures élevées s'avèrent bénéfiques dans les environnements exigeants, tels que les machines industrielles et les moteurs automobiles.Cette capacité élargit non seulement la gamme d'applications du MOSFET, mais améliore également sa durée de vie opérationnelle.

Capacité de commutation rapide

La capacité de commutation rapide de l'IRF1010E est un attribut de base évalué dans de nombreuses applications modernes.Sa commutation rapide améliore l'efficacité globale du système et les performances pour les applications telles que les alimentations informatiques et les systèmes de contrôle des moteurs.Ici, une commutation rapide entraîne une consommation d'énergie plus faible et une réactivité accrue.

Note d'avalanche

Avec une cote d'avalanche complète, l'IRF1010E peut supporter des impulsions à haute énergie sans subir de dégâts, sous-tendant sa robustesse.Cet attribut est utilisé dans les applications sujette à des surtensions de tension inattendues, garantissant la fiabilité et la durabilité du MOSFET.Cela en fait un choix idéal pour un large éventail d'applications d'électronique de puissance.

Design sans plomb respectueux de l'environnement

La construction sans plomb de l'IRF1010E s'aligne sur les normes et réglementations environnementales contemporaines.L'absence de plomb est bénéfique à la fois du point de vue écologique et de la santé, garantissant le respect des directives environnementales mondiales strictes et facilitant son utilisation dans diverses régions.

Applications de l'IRF1010E

Applications de commutation

L'IRF1010E brille dans diverses applications de commutation.Sa faible résistance sur la résistance et la capacité de courant élevée favorise les performances efficaces et fiables.Ce composant est nécessaire dans les systèmes exigeant une commutation rapide pour augmenter l'efficacité globale.Son aptitude à gérer une puissance substantielle en fait une option attrayante pour les paramètres à forte demande, tels que les centres de données et les machines industrielles, où la réponse rapide et la fiabilité sont excellentes.

Unités de contrôle de vitesse

Dans les unités de contrôle de vitesse, l'IRF1010E est évaluée pour sa manipulation transparente des hautes tensions et des courants.Il s'avère idéal pour contrôler les moteurs dans diverses applications, de l'automobile à des équipements industriels de précision.D'autres ont signalé des améliorations notables de la réponse et de l'efficacité motrices, résultant en une modulation de vitesse plus fluide et plus précise.

Systèmes d'éclairage

L'IRF1010E excelle également dans les systèmes d'éclairage.Il est bénéfique dans les conducteurs LED où le contrôle actuel est excellent.L'incorporation de ce MOSFET améliore l'efficacité énergétique et prolonge la durée de vie des solutions d'éclairage, ce qui en fait un choix populaire en milieu commercial et résidentiel.Ce MOSFET est étroitement associé à la technologie d'éclairage à économie d'énergie moderne.

Applications PWM

Les applications de modulation de largeur d'impulsion (PWM) bénéficient considérablement des capacités de commutation et de l'efficacité rapides de l'IRF1010E.La mise en œuvre de ces MOSFET dans des systèmes tels que les onduleurs de puissance et les amplificateurs audio assure un contrôle précis du signal de sortie, augmentant les performances.Cela améliore la stabilité du système avec un fonctionnement cohérent et fiable.

Moteurs de relais

Dans les applications de conduite de relais, l'IRF1010E fournit le contrôle actuel et l'isolement pour des opérations de relais efficaces.Sa durabilité et sa fiabilité le rendent adaptée aux applications sérières de la sécurité, telles que les systèmes de contrôle automobile et industriel.L'utilisation pratique montre que ces MOSFET améliorent la durabilité du système et réduisent les taux d'échec dans des environnements exigeants.

Alimentation d'alimentation en mode commutateur

Les alimentations en mode commutateur (SMPS) bénéficient considérablement de l'utilisation de l'IRF1010E.Ces MOSFET contribuent à une efficacité plus élevée et à une dissipation de chaleur réduite, améliorant les performances globales des alimentations.Les attributs de l'IRF1010E en font un composant principal pour fournir une puissance stable et fiable à une variété d'appareils électroniques.

Emballage IRF1010E

IRF1010E Package

Informations sur le fabricant IRF1010E

Infineon Technologies, née de Siemens Semiconductors, a cimenté sa place en tant qu'innovateur de premier plan dans l'industrie des semi-conducteurs.La vaste gamme de produits d'Infineon comprend des circuits numériques, signals mixtes et intégrés analogiques (ICS), aux côtés d'un éventail diversifié de composants semi-conducteurs discrets.Cette vaste gamme de produits rend l'influence infineon dans divers domaines technologiques, tels que l'automobile, le contrôle de la puissance industrielle et les applications de sécurité.Infineon Technologies, continue de mener à travers son esprit innovant et sa gamme de produits étendue.Leurs efforts sont importants pour faire progresser les technologies économes en énergie, présentant une compréhension approfondie de la dynamique du marché et des orientations futures.

Fiche technique PDF

Questions fréquemment posées [FAQ]

1. Quelle est la configuration de la broche d'Irf1010e?

La configuration de la broche MOSFET IRF1010E comprend:

PIN 3: Source (généralement connectée à la terre)

PIN 2: drain (lié au composant de charge)

PIN 1: porte (sert de déclencheur pour activer le MOSFET)

2. Quelle condition exploiter l'IRF1010E?

Considérez ces spécifications lors de l'exploitation de l'IRF1010E:

Tension maximale de vidange: 60V

Courant de vidange continu maximum: 84a

Courant de vidange pulsé maximum: 330A

Tension maximale de porte-ailes: 20V

Plage de températures de fonctionnement: jusqu'à 175 ° C

Dissipation de puissance maximale: 200W

Veuillez vous référer à la version anglaise comme étant notre version officielle

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