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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF1010EPBF
IRF1010EPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF1010EPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF1010EPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF1010EPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF1010EPBF.pdf
État RoHS
En stock: 48620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF1010EPBF
Infineon Technologies - IRF1010EPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF1010EPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3210 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 84A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF1010  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF1010EPBF

Attributs du produit IRF1010EPBF IRF1010EZSPBF IRF100B202 IRF1010EZ
Modèle de produit IRF1010EPBF IRF1010EZSPBF IRF100B202 IRF1010EZ
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 84A (Tc) 75A (Tc) 97A (Tc) 75A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 140W (Tc) 221W (Tc) 140W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 116 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 100 V 60 V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK TO-220AB TO-220AB
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 150µA 4V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 50A, 10V 8.5mOhm @ 51A, 10V 8.6mOhm @ 58A, 10V 8.5mOhm @ 51A, 10V
Numéro de produit de base IRF1010 - IRF100 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3210 pF @ 25 V 2810 pF @ 25 V 4476 pF @ 50 V 2810 pF @ 25 V

Fiche technique IRF1010EPBF PDF

Téléchargez IRF1010EPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF1010EPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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