Le BSS138 appartient à la famille des MOSFET à canal N, réputé pour sa faible résistance à 3,5 ohms et une capacité d'entrée de 40 pf.Ce MOSFET spécifique est adapté aux opérations au niveau logique dans les packages de dispositif de montage surface (SMD).Capable de terminer un interrupteur en seulement 20 ns, le BSS138 est un ajustement idéal pour les applications à grande vitesse et basse tension.Son utilisation s'étend sur divers appareils portables, tels que les téléphones portables, où ses performances efficaces deviennent apparentes.
Le MOSFET dispose d'une faible tension de seuil de 0,5 V, améliorant l'efficacité dans de nombreux circuits.Le BSS138 peut gérer un courant continu de 200 mA et un courant de pointe allant jusqu'à 1A.La dépassion de ces limites risque d'endommager la composante, un facteur qui nécessite une attention particulière.Le BSS138 fonctionne de manière fiable dans des tâches de petit signal.Cependant, ses limites dans le mandat de la manipulation du courant ont une considération réfléchie dans les applications avec des charges plus élevées.Pour des exemples pratiques, lors de l'assemblage des dispositifs à limite de puissance, il est nécessaire de rester conscient de ces limitations pour contourner les défaillances potentielles du circuit.
• 2N7000
• 2N7002
• Ntr4003
• FDC558
• FDC666
• BS170
• IRF3205
• IRF540N
• Irf1010e
• 2N7000
• BS170N
• Fdn358p
• BSS84
Ce terminal sert de point de sortie pour le courant circulant à travers le MOSFET.La gestion actuelle de ce terminal est bonne pour les performances optimales du circuit.Beaucoup se concentrent souvent sur la minimisation de la résistance dans la connexion source, une entreprise qui est enrichissante dans les applications à haute fréquence où chaque milliarhm compte.Un flux de courant efficace peut entraîner non seulement des gains de performance, mais également une satisfaction accrue de la fin de la finesse technique.
Ce terminal module la connexion entre la source et le drain, contrôlant le biais du MOSFET.La vitesse à laquelle la porte interdit la porte affecte l'efficacité énergétique globale, un détail qui n'a pas seulement un impact sur l'analyse des performances mais est également fier de fabriquer un circuit de fonctionnement de manière transparente.La capacité de grille est un facteur clé de cette modulation, avec ses implications pour les temps de commutation et la précision de tension nécessitant des ajustements délicats et un réglage fin.
Le courant entre dans ce terminal et la capacité du drain à gérer cet afflux dicte la capacité de charge de travail du MOSFET.Cela implique la sauvegarde des contraintes thermiques, une pratique qui implique souvent des techniques de gestion thermique comme les dissipateurs de chaleur et les dispositions optimisées de PCB.La satisfaction dérivée d'un drain bien refroidi et efficace n'est pas simplement technique;Voir une conception résiste à des niveaux de puissance plus élevés sans dégradation apporte un sentiment d'accomplissement à tout.
Spécification |
Valeur |
Taper |
Niveau logique MOSFET à canal N |
Résistance à l'État |
3,5 ohms |
Courant de vidange continu (ID) |
200 mA |
Tension de vidange-source (VDS) |
50 V |
Tension de seuil de porte minimale (VGS) |
0,5 V |
Tension de seuil de porte maximale (VGS) |
1,5 V |
Allumer le temps |
20 ns |
Désactiver |
20 ns |
Emballer |
SOT23 SMD |
Tension de vidange (VDS) |
50 V |
Tension de porte-porte (VGSS) |
± 20 V |
Courant de drain continu (id) à t = 25 ° C |
0,22 A |
Courant de drain pulsé |
0,88 A |
Dissipation de puissance maximale |
300 MW |
Plage de températures de fonctionnement et de stockage |
-55 ° C à + 150 ° C |
Température maximale du plomb pour le soudage |
300 ° C |
Résistance thermique |
350 ° C / W |
Capacité d'entrée |
27 PF |
Capacité de sortie |
13 pf
|
Capacité de transfert inverse |
6 pf |
Résistance à la porte |
9 ohms |
L'intégration d'un MOSFET BSS138 en tant que levier de vitesses de niveau bidirectionnel implique une connexion prudente à la fois à une fois à basse tension (3,3 V) et à un côté haute tension (5V).La porte du MOSFET se connecte à l'alimentation 3,3 V, sa source se lie au bus basse tension et le drain est lié au bus haute tension.Cette configuration garantit un changement de niveau logique bidirectionnel transparent, permettant aux appareils de tension variable de communiquer en toute sécurité.
Sans signal d'entrée, la sortie reste élevée à 3,3 V ou 5V, maintenue à travers les résistances R1 et R2.Le MOSFET reste dans un état hors état (0V VGS).Cette configuration par défaut minimise l'utilisation de puissance inutile et maintient la stabilité du circuit.La sélection des valeurs de résistance appropriées est nécessaire pour des performances de veille stables.
La réduction du côté basse tension à 0V active le MOSFET, provoquant un signal de sortie faible du côté haute tension.Cette transition est utilisée pour les protocoles de communication nécessitant de tels modifications et une transmission de données à grande vitesse dans des paramètres de tension mixte.
L'abaissement de la tension du côté haute tension allume le MOSFET, générant un signal de bas niveau correspondant des deux côtés.Ce décalage bidirectionnel stimule la flexibilité et la fonctionnalité du système.L'amélioration des attributs de commutation du MOSFET peut encore élever la fiabilité et l'efficacité du système, en particulier dans les applications nécessitant un contrôle de tension précis.Grâce à ces observations complètes, il est clair que le niveau de logique bidirectionnel change non seulement les ponts de tension différente mais fortifie également le processus de communication, assurant à la fois son intégrité et sa résilience.
Le BSS138 a acquis une réputation de basse tension et d'applications de courant faible, grâce à ses caractéristiques électriques louables.Sa tension de seuil faible lui permet d'activer à des tensions minimales, ce qui en fait un choix idéal pour les appareils à batterie et l'électronique portable.Cette qualité est devenue de plus en plus pertinente dans l'électronique contemporaine, tirée par le besoin urgent d'efficacité énergétique.À mesure que la tendance vers la miniaturisation progresse, des composants comme le BSS138, capables de fonctionner efficacement à des tensions réduites, jouent un rôle dans l'extension de la durée de vie de la batterie et permettant des conceptions d'appareils plus compactes.
Une utilisation pour BSS138 est dans les changeurs de niveau logique bidirectionnel.Ces appareils contribuent à assurer une communication fluide entre différents systèmes fonctionnant à des niveaux de tension variés.Une telle fonctionnalité est inestimable dans les configurations complexes où plusieurs microcontrôleurs ou capteurs avec diverses exigences de tension doivent s'intégrer de manière transparente.Les performances fiables du BSS138 maintient l'intégrité du signal, qui à son tour améliore l'efficacité et la fonctionnalité des systèmes électroniques.Cette application est fréquemment observée dans les projets de microcontrôleur où l'intégration des capteurs et des périphériques nécessite une correspondance au niveau de tension pour une communication appropriée.
Le BSS138 s'avère important dans la conception des convertisseurs DC-DC, notamment dans les scénarios nécessitant une régulation de tension efficace.Ces convertisseurs sont centraux à la fois dans l'électronique grand public et les systèmes industriels, où la stabilité de la tension de sortie à partir d'une entrée instable est requise.En raison de sa faible résistance à l'état, le BSS138 minimise les pertes de conduction, ce qui augmente l'efficacité de la conversion.Une telle efficacité est particulièrement bonne dans les applications sensibles à l'énergie telles que les systèmes d'énergie renouvelable et les dispositifs électroniques portables, où la durée de vie de la batterie et les performances d'impact sur la conservation de l'énergie.
Dans les situations exigeant une résistance minimale à l'état, le MOSFET BSS138 se démarque.Cette caractéristique réduit la dissipation de puissance, améliorant la gestion thermique et les performances globales de l'appareil.Prenons l'exemple de l'alimentation de commutation à titre d'exemple, ici, la faible résistance à l'état assure un transfert de puissance efficace et une génération de chaleur minimale, augmentant la fiabilité et la longévité des composants électroniques.Les performances thermiques améliorées rendent également le BSS138 adapté aux conceptions électroniques compactes à haute densité où la gestion de la dissipation thermique est nécessaire.
Dans le domaine en expansion de l'e-endeur électronique, le BSS138 est employé dans les véhicules électriques et autres innovations en matière de mobilité.Une gestion efficace de la puissance est utilisée pour la performance, la sécurité et la durabilité de ces systèmes.Les caractéristiques du BSS138 soutiennent les exigences strictes pour une perte de puissance faible et une forte fiabilité dans les circuits de distribution et de gestion de puissance dans les véhicules électriques.Ce MOSFET est tout aussi précieux dans les systèmes d'énergie renouvelable, où la conversion et la gestion de l'énergie compétentes influencent les performances et la durabilité du système.Au fur et à mesure que ces technologies progressent, des composants comme le BSS138 continueront à faire avancer leur développement.
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