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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR310TR
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR310TR - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFR310TR
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR310TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR310, IRFU310, SiHFR310, SiHFU310.pdf
En stock: 4220

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Spécifications

Spécifications techniques IRFR310TR
Vishay Siliconix - IRFR310TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFR310TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFR310  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFR310TR

Attributs du produit IRFR310TR IRFR310 IRFR2905ZTRPBF IRFR320
Modèle de produit IRFR310TR IRFR310 IRFR2905ZTRPBF IRFR320
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 400 V 400 V 55 V 400 V
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 170 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 1380 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1A, 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 14.5mOhm @ 36A, 10V 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Séries - - HEXFET® -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Tc) 1.7A (Tc) 42A (Tc) 3.1A (Tc)
Numéro de produit de base IRFR310 IRFR310 IRFR2905 IRFR320
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IRFR310TR PDF

Téléchargez IRFR310TR PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFR310TR - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFR310, IRFU310, SiHFR310, SiHFU310.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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