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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxVQ2001P
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VQ2001P - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
VQ2001P
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-VQ2001P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP
Description détaillée
Emballage
-
Fiche technique
VP0300L(S), VQ2001.pdf
En stock: 5220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VQ2001P
Vishay Siliconix - VQ2001P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - VQ2001P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur -  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1A, 12V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte -  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 600mA  
Configuration 4 P-Channel  
Numéro de produit de base VQ2001  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix VQ2001P

Attributs du produit VQ2001P SI6943BDQ-T1-GE3 FDR8508P NTGD3149CT1G
Modèle de produit VQ2001P SI6943BDQ-T1-GE3 FDR8508P NTGD3149CT1G
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi onsemi
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - TrenchFET® PowerTrench® -
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 800mV @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 15V - 750pF @ 15V 387pF @ 10V
Configuration 4 P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - 10nC @ 4.5V 12nC @ 5V 5.5nC @ 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 30V 12V 30V 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1A, 12V 80mOhm @ 2.5A, 4.5V 52mOhm @ 3A, 10V 60mOhm @ 3.5A, 4.5V
Puissance - Max 2W 800mW 800mW 900mW
Package composant fournisseur - 8-TSSOP SuperSOT™-8 6-TSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 600mA 2.3A 3A 3.2A, 2.4A
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base VQ2001 SI6943 FDR85 NTGD31
Package / Boîte - 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Fiche technique VQ2001P PDF

Téléchargez VQ2001P PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour VQ2001P - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Device OBS Update 15/May/2017.pdf
Feuilles de données
VP0300L(S), VQ2001.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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