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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI6943BDQ-T1-GE3
SI6943BDQ-T1-GE3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI6943BDQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI6943BDQ-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI6943BDQ-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
SI6943BDQ.pdf
État RoHS
En stock: 3660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI6943BDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI6943BDQ-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI6943BDQ-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Puissance - Max 800mW  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 12V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI6943  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI6943BDQ-T1-GE3

Attributs du produit SI6943BDQ-T1-GE3 SI6933DQ-T1-GE3 SI6928DQ-T1-E3 SI6933DQ-T1-E3
Modèle de produit SI6943BDQ-T1-GE3 SI6933DQ-T1-GE3 SI6928DQ-T1-E3 SI6933DQ-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V 30nC @ 10V 14nC @ 5V 30nC @ 10V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.5A, 4.5V 45mOhm @ 3.5A, 10V 35mOhm @ 4A, 10V 45mOhm @ 3.5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.3A - 4A -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Séries TrenchFET® TrenchFET® - TrenchFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Numéro de produit de base SI6943 SI6933 SI6928 SI6933
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Tension drain-source (Vdss) 12V 30V 30V 30V
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Puissance - Max 800mW 1W 1W 1W

Fiche technique SI6943BDQ-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI6943BDQ-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI6943BDQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Feuilles de données
SI6943BDQ.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI6943BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix
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