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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSUM75N15-18P-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SUM75N15-18P-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SUM75N15-18P-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SUM75N15-18P-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 75A TO263
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
SUM75N15-18P.pdf
État RoHS
En stock: 3760

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SUM75N15-18P-E3
Vishay Siliconix - SUM75N15-18P-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SUM75N15-18P-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263 (D²Pak)  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.12W (Ta), 312.5W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4180 pF @ 75 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base SUM75  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SUM75N15-18P-E3

Attributs du produit SUM75N15-18P-E3 SUM80090E-GE3 SUM85N15-19-E3 SUM75N06-09L-E3
Modèle de produit SUM75N15-18P-E3 SUM80090E-GE3 SUM85N15-19-E3 SUM75N06-09L-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 150 V 150 V 150 V 60 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 7.5V, 10V 10V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 128A (Tc) 85A (Tc) 90A (Tc)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4180 pF @ 75 V 3425 pF @ 75 V 4750 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries TrenchFET® ThunderFET® TrenchFET® -
Numéro de produit de base SUM75 SUM80090 SUM85 SUM75
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V 19mOhm @ 30A, 10V 9.3mOhm @ 30A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur TO-263 (D²Pak) D²PAK (TO-263) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak)
Dissipation de puissance (max) 3.12W (Ta), 312.5W (Tc) 375W (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) -

Fiche technique SUM75N15-18P-E3 PDF

Téléchargez SUM75N15-18P-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SUM75N15-18P-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Feuilles de données
SUM75N15-18P.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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