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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSQD97N06-6M3L_GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SQD97N06-6M3L_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SQD97N06-6M3L_GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SQD97N06-6M3L_GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SQD97N06-6M3L_GE3.pdf
État RoHS
En stock: 52600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SQD97N06-6M3L_GE3
Vishay Siliconix - SQD97N06-6M3L_GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SQD97N06-6M3L_GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6060 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 97A (Tc)  
Numéro de produit de base SQD97  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SQD97N06-6M3L_GE3

Attributs du produit SQD97N06-6M3L_GE3 SQD90P04-9M4L_GE3 SQD70140EL_GE3 SQD50P08-28_GE3
Modèle de produit SQD97N06-6M3L_GE3 SQD90P04-9M4L_GE3 SQD70140EL_GE3 SQD50P08-28_GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 60 V 40 V 100 V 80 V
Numéro de produit de base SQD97 SQD90 SQD70140 SQD50
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6060 pF @ 25 V 6675 pF @ 20 V 2100 pF @ 25 V 6035 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc) 136W (Tc) 71W (Tc) 136W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 97A (Tc) 90A (Tc) 30A (Tc) 48A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Fonction FET - - - -
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 25A, 10V 9.4mOhm @ 17A, 10V 15mOhm @ 30A, 10V 28mOhm @ 12.5A, 10V

Fiche technique SQD97N06-6M3L_GE3 PDF

Téléchargez SQD97N06-6M3L_GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SQD97N06-6M3L_GE3 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
SQD97N06-6M3L_GE3.pdf

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