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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSQD90P04-9M4L_GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SQD90P04-9M4L_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SQD90P04-9M4L_GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SQD90P04-9M4L_GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
SQD90P04-9M4L.pdf
État RoHS
En stock: 22293

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SQD90P04-9M4L_GE3
Vishay Siliconix - SQD90P04-9M4L_GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SQD90P04-9M4L_GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6675 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc)  
Numéro de produit de base SQD90  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SQD90P04-9M4L_GE3

Attributs du produit SQD90P04-9M4L_GE3 SQD50P08-28_GE3 SQD50P08-25L_GE3 SQD70140EL_GE3
Modèle de produit SQD90P04-9M4L_GE3 SQD50P08-28_GE3 SQD50P08-25L_GE3 SQD70140EL_GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Dissipation de puissance (max) 136W (Tc) 136W (Tc) 136W (Tc) 71W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 80 V 80 V 100 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Numéro de produit de base SQD90 SQD50 SQD50 SQD70140
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc) 48A (Tc) 50A (Tc) 30A (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 17A, 10V 28mOhm @ 12.5A, 10V 25mOhm @ 10.5A, 10V 15mOhm @ 30A, 10V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 137 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6675 pF @ 20 V 6035 pF @ 25 V 5350 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique SQD90P04-9M4L_GE3 PDF

Téléchargez SQD90P04-9M4L_GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SQD90P04-9M4L_GE3 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
SQD90P04-9M4L.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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