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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSQA470EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SQA470EJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SQA470EJ-T1_GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SQA470EJ-T1_GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® SC-70-6
Fiche technique
SQA470EJ.pdf
État RoHS
En stock: 121510

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SQA470EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix - SQA470EJ-T1_GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SQA470EJ-T1_GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Single  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 13.6W (Tc)  
Package / Boîte PowerPAK® SC-70-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.25A (Tc)  
Numéro de produit de base SQA470  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SQA470EJ-T1_GE3

Attributs du produit SQA470EJ-T1_GE3 ZXM62P03E6TA SQA405EJ-T1_GE3 SQA401EEJ-T1_GE3
Modèle de produit SQA470EJ-T1_GE3 ZXM62P03E6TA SQA405EJ-T1_GE3 SQA401EEJ-T1_GE3
Fabricant Vishay Siliconix Diodes Incorporated Vishay Siliconix Vishay Siliconix
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte PowerPAK® SC-70-6 SOT-23-6 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 40 V 20 V
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 20 V 330 pF @ 25 V 1815 pF @ 25 V 375 pF @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.25A (Tc) 1.5A (Ta) 10A (Tc) 2.68A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 10.2 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 5.3 nC @ 4.5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 13.6W (Tc) 625mW (Ta) 13.6W (Tc) 13.6W (Tc)
Numéro de produit de base SQA470 ZXM62P03 SQA405 SQA401
Package composant fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Single SOT-26 PowerPAK® SC-70-6 PowerPAK® SC-70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3A, 4.5V 150mOhm @ 1.6A, 10V 35mOhm @ 5A, 10V 113mOhm @ 2A, 4.5V
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® - Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±8V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique SQA470EJ-T1_GE3 PDF

Téléchargez SQA470EJ-T1_GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SQA470EJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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