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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRTQ045N03TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RTQ045N03TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RTQ045N03TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RTQ045N03TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
RTQ045N03TR.pdf
État RoHS
En stock: 140190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RTQ045N03TR
Rohm Semiconductor - RTQ045N03TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RTQ045N03TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 4.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta)  
Numéro de produit de base RTQ045  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RTQ045N03TR

Attributs du produit RTQ045N03TR RTQ040P02TR RTQ035P02TR RTQ2516GSP-QT
Modèle de produit RTQ045N03TR RTQ040P02TR RTQ035P02TR RTQ2516GSP-QT
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Richtek USA Inc.
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Numéro de produit de base RTQ045 RTQ040 RTQ035 -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta) 4A (Ta) 3.5A (Ta) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 4.5 V 12.2 nC @ 4.5 V 10.5 nC @ 4.5 V -
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 10 V 1350 pF @ 10 V 1200 pF @ 10 V -
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95) TSMT6 (SC-95) 8-SOP-EP
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 4.5A, 4.5V 50mOhm @ 4A, 4.5V 65mOhm @ 3.5A, 4.5V -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -

Fiche technique RTQ045N03TR PDF

Téléchargez RTQ045N03TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RTQ045N03TR - Rohm Semiconductor.

Conception / spécification PCN
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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