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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI8805EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI8805EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI8805EDB-T2-E1
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI8805EDB-T2-E1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
Description détaillée
Emballage
4-XFBGA, CSPBGA
Fiche technique
SI8805EDB-T2-E1.pdf
État RoHS
En stock: 4900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI8805EDB-T2-E1
Vishay Siliconix - SI8805EDB-T2-E1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI8805EDB-T2-E1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±5V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 4-Microfoot  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte 4-XFBGA, CSPBGA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 8 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Ta)  
Numéro de produit de base SI8805  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI8805EDB-T2-E1

Attributs du produit SI8805EDB-T2-E1 SI8819EDB-T2-E1 SI8817DB-T2-E1 SI8812DB-T2-E1
Modèle de produit SI8805EDB-T2-E1 SI8819EDB-T2-E1 SI8817DB-T2-E1 SI8812DB-T2-E1
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Package composant fournisseur 4-Microfoot 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) 4-Microfoot 4-Microfoot
Séries TrenchFET® - TrenchFET® TrenchFET®
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±5V ±8V ±8V ±5V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 8 V 12 V 20 V 20 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 900mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Numéro de produit de base SI8805 SI8819 SI8817 SI8812
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V 1.5V, 3.7V 1.5V, 4.5V 1.2V, 4.5V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Ta) 2.9A (Ta) 2.1A (Ta) 2.3A (Ta)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 1.5A, 4.5V 80mOhm @ 1.5A, 3.7V 76mOhm @ 1A, 4.5V 59mOhm @ 1A, 4.5V
Package / Boîte 4-XFBGA, CSPBGA 4-XFBGA 4-XFBGA 4-UFBGA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 17 nC @ 8 V 19 nC @ 8 V 17 nC @ 8 V

Fiche technique SI8805EDB-T2-E1 PDF

Téléchargez SI8805EDB-T2-E1 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI8805EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 14/Mar/2018.pdf
Feuilles de données
SI8805EDB-T2-E1.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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