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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI8802DB-T2-E1
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI8802DB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI8802DB-T2-E1
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI8802DB-T2-E1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Description détaillée
Emballage
4-XFBGA
Fiche technique
Si8802DB.pdf
État RoHS
En stock: 259650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI8802DB-T2-E1
Vishay Siliconix - SI8802DB-T2-E1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI8802DB-T2-E1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±5V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 4-Microfoot  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 1A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte 4-XFBGA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 8 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)  
Numéro de produit de base SI8802  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI8802DB-T2-E1

Attributs du produit SI8802DB-T2-E1 SI8808DB-T2-E1 SI8817DB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1
Modèle de produit SI8802DB-T2-E1 SI8808DB-T2-E1 SI8817DB-T2-E1 SI8816EDB-T2-E1
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tension drain-source (Vdss) 8 V 30 V 20 V 30 V
Package composant fournisseur 4-Microfoot 4-Microfoot 4-Microfoot 4-Microfoot
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±5V ±8V ±8V ±12V
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Package / Boîte 4-XFBGA 4-UFBGA 4-XFBGA 4-XFBGA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 1A, 4.5V 95mOhm @ 1A, 4.5V 76mOhm @ 1A, 4.5V 109mOhm @ 1A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V 10 nC @ 8 V 19 nC @ 8 V 8 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 2.5V, 10V
Numéro de produit de base SI8802 SI8808 SI8817 SI8816
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta) 1.8A (Ta) 2.1A (Ta) 1.5A (Ta)

Fiche technique SI8802DB-T2-E1 PDF

Téléchargez SI8802DB-T2-E1 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI8802DB-T2-E1 - Vishay Siliconix.

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Material Compliance.pdf
Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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