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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI7806ADN-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI7806ADN-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI7806ADN-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI7806ADN-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® 1212-8
Fiche technique
SI7806ADN-T1-E3.pdf
État RoHS
En stock: 52780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI7806ADN-T1-E3
Vishay Siliconix - SI7806ADN-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI7806ADN-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta)  
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta)  
Numéro de produit de base SI7806  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI7806ADN-T1-E3

Attributs du produit SI7806ADN-T1-E3 SI7802DN-T1-GE3 SI7792DP-T1-GE3 SI7806ADN-T1-GE3
Modèle de produit SI7806ADN-T1-E3 SI7802DN-T1-GE3 SI7792DP-T1-GE3 SI7806ADN-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 6.25W (Ta), 104W (Tc) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 14A, 10V 435mOhm @ 1.95A, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V 11mOhm @ 14A, 10V
Fonction FET - - Schottky Diode (Body) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base SI7806 SI7802 SI7792 SI7806
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3.6V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® 1212-8
Séries TrenchFET® TrenchFET® SkyFET®, TrenchFET® Gen III TrenchFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V 21 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 20 nC @ 5 V
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® 1212-8
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 250 V 30 V 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta) 1.24A (Ta) 40.6A (Ta), 60A (Tc) 9A (Ta)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique SI7806ADN-T1-E3 PDF

Téléchargez SI7806ADN-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI7806ADN-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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