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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI7802DN-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI7802DN-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI7802DN-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI7802DN-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK
Description détaillée
Emballage
PowerPAK® 1212-8
Fiche technique
SI7802DN.pdf
État RoHS
En stock: 3890

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI7802DN-T1-E3
Vishay Siliconix - SI7802DN-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI7802DN-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 435mOhm @ 1.95A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta)  
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.24A (Ta)  
Numéro de produit de base SI7802  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI7802DN-T1-E3

Attributs du produit SI7802DN-T1-E3 SI7790DP-T1-GE3 SI7802DN-T1-GE3 SI7794DP-T1-GE3
Modèle de produit SI7802DN-T1-E3 SI7790DP-T1-GE3 SI7802DN-T1-GE3 SI7794DP-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3.6V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.24A (Ta) 50A (Tc) 1.24A (Ta) 28.6A (Ta), 60A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® SO-8
Dissipation de puissance (max) 1.5W (Ta) 5.2W (Ta), 69W (Tc) 1.5W (Ta) 5W (Ta), 48W (Tc)
Package / Boîte PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® SO-8
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 250 V 40 V 250 V 30 V
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® SkyFET®, TrenchFET® Gen III
Numéro de produit de base SI7802 SI7790 SI7802 SI7794
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 435mOhm @ 1.95A, 10V 4.5mOhm @ 15A, 10V 435mOhm @ 1.95A, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V
Fonction FET - - - Schottky Diode (Body)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V

Fiche technique SI7802DN-T1-E3 PDF

Téléchargez SI7802DN-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI7802DN-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Feuilles de données
SI7802DN.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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