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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI6933DQ-T1-GE3
SI6933DQ-T1-GE3 Image
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SI6933DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI6933DQ-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI6933DQ-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 30V 8-TSSOP
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
SI6933DQ.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4380

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SI6933DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI6933DQ-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI6933DQ-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.5A, 10V  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI6933  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI6933DQ-T1-GE3

Attributs du produit SI6933DQ-T1-GE3 SI6943BDQ-T1-GE3 SI6928DQ-T1-GE3 SI6928DQ-T1-E3
Modèle de produit SI6933DQ-T1-GE3 SI6943BDQ-T1-GE3 SI6928DQ-T1-GE3 SI6928DQ-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Puissance - Max 1W 800mW 1W 1W
Numéro de produit de base SI6933 SI6943 SI6928 SI6928
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 3.5A, 10V 80mOhm @ 2.5A, 4.5V 35mOhm @ 4A, 10V 35mOhm @ 4A, 10V
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 2.3A 4A 4A
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 800mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30V 12V 30V 30V
Séries TrenchFET® TrenchFET® - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 10nC @ 4.5V 14nC @ 5V 14nC @ 5V

Fiche technique SI6933DQ-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI6933DQ-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI6933DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
Feuilles de données
SI6933DQ.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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