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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI6924AEDQ-T1-E3
SI6924AEDQ-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI6924AEDQ-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI6924AEDQ-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI6924AEDQ-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
SI6924AEDQ.pdf
État RoHS
En stock: 5290

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI6924AEDQ-T1-E3
Vishay Siliconix - SI6924AEDQ-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI6924AEDQ-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 4.6A, 4.5V  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 28V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.1A  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base SI6924  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI6924AEDQ-T1-E3

Attributs du produit SI6924AEDQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 SI6913DQ-T1-E3 SI6925ADQ-T1-E3
Modèle de produit SI6924AEDQ-T1-E3 SI6926ADQ-T1-E3 SI6913DQ-T1-E3 SI6925ADQ-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Numéro de produit de base SI6924 SI6926 SI6913 SI6925
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Puissance - Max 1W 830mW 830mW 800mW
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V 10.5nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - TrenchFET® -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 400µA 1.8V @ 250µA
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.1A 4.1A 4.9A 3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 4.6A, 4.5V 30mOhm @ 4.5A, 4.5V 21mOhm @ 5.8A, 4.5V 45mOhm @ 3.9A, 4.5V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss) 28V 20V 12V 20V

Fiche technique SI6924AEDQ-T1-E3 PDF

Téléchargez SI6924AEDQ-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI6924AEDQ-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Feuilles de données
SI6924AEDQ.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI6924AEDQ-T1-E3

Vishay Siliconix
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