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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI6913DQ-T1-GE3
SI6913DQ-T1-GE3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI6913DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI6913DQ-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI6913DQ-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
SI6913DQ.pdf
État RoHS
En stock: 55710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI6913DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI6913DQ-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI6913DQ-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 400µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 5.8A, 4.5V  
Puissance - Max 830mW  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 12V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.9A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI6913  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-GE3

Attributs du produit SI6913DQ-T1-GE3 SI6925ADQ-T1-GE3 SI6924AEDQ-T1-E3 SI6913DQ-T1-E3
Modèle de produit SI6913DQ-T1-GE3 SI6925ADQ-T1-GE3 SI6924AEDQ-T1-E3 SI6913DQ-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 5.8A, 4.5V 45mOhm @ 3.9A, 4.5V 33mOhm @ 4.6A, 4.5V 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Séries TrenchFET® - - TrenchFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 400µA 1.8V @ 250µA 1.5V @ 250µA 900mV @ 400µA
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 P-Channel (Dual)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Numéro de produit de base SI6913 SI6925 SI6924 SI6913
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Puissance - Max 830mW 800mW 1W 830mW
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.9A 3.3A 4.1A 4.9A
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Tension drain-source (Vdss) 12V 20V 28V 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V 10nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique SI6913DQ-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI6913DQ-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI6913DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
Conception / spécification PCN
Epoxy Materials 07/Jan/2022.pdf
Feuilles de données
SI6913DQ.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI6913DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix
32D-SI6913DQ-T1-GE3

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