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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI6423DQ-T1-GE3
SI6423DQ-T1-GE3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI6423DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI6423DQ-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI6423DQ-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
Si6423DQ.pdf
État RoHS
En stock: 36620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI6423DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI6423DQ-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI6423DQ-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 400µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.05W (Ta)  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.2A (Ta)  
Numéro de produit de base SI6423  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI6423DQ-T1-GE3

Attributs du produit SI6423DQ-T1-GE3 SI6426DQ SI6423ADQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-BE3
Modèle de produit SI6423DQ-T1-GE3 SI6426DQ SI6423ADQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-BE3
Fabricant Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V - 1.8V, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 400µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 800mV @ 400µA
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V 10 nC @ 4.5 V 168 nC @ 8 V 110 nC @ 5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.2A (Ta) 5.4A (Ta) 10.3A (Ta), 12.5A (Tc) 8.2A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 12 V 20 V 20 V 12 V
Dissipation de puissance (max) 1.05W (Ta) 1.1W (Ta) 1.5W (Ta), 2.2W (Tc) 1.05W (Ta)
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base SI6423 - SI6423 -
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Séries TrenchFET® PowerTrench® TrenchFET® -
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V 35mOhm @ 5.4A, 4.5V 9.8mOhm @ 10A, 4.5V 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V

Fiche technique SI6423DQ-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI6423DQ-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI6423DQ-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
Conception / spécification PCN
Epoxy Materials 07/Jan/2022.pdf
Feuilles de données
Si6423DQ.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI6423DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix
32D-SI6423DQ-T1-GE3

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