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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI6423DQ-T1-BE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI6423DQ-T1-BE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI6423DQ-T1-BE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI6423DQ-T1-BE3
Modèle ECAD
Description des pièces
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
Description détaillée
Emballage
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fiche technique
Si6423DQ.pdf
En stock: 34450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI6423DQ-T1-BE3
Vishay Siliconix - SI6423DQ-T1-BE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI6423DQ-T1-BE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 400µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSSOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.05W (Ta)  
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.2A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI6423DQ-T1-BE3

Attributs du produit SI6423DQ-T1-BE3 SI6433BDQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-GE3 SI6423ADQ-T1-GE3
Modèle de produit SI6423DQ-T1-BE3 SI6433BDQ-T1-E3 SI6423DQ-T1-GE3 SI6423ADQ-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - - TrenchFET® TrenchFET®
Tension drain-source (Vdss) 12 V 12 V 12 V 20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.2A (Ta) 4A (Ta) 8.2A (Ta) 10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V 110 nC @ 5 V 168 nC @ 8 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V 40mOhm @ 4.8A, 4.5V 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V 9.8mOhm @ 10A, 4.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP 8-TSSOP
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 400µA 1.5V @ 250µA 800mV @ 400µA 1V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 1.05W (Ta) 1.05W (Ta) 1.05W (Ta) 1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V ±8V
Package / Boîte 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Fonction FET - - - -

Fiche technique SI6423DQ-T1-BE3 PDF

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Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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