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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4908DY-T1-E3
SI4908DY-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4908DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4908DY-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4908DY-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4908DY-T1-E3.pdf
État RoHS
En stock: 5250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4908DY-T1-E3
Vishay Siliconix - SI4908DY-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4908DY-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.1A, 10V  
Puissance - Max 2.75W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 355pF @ 20V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI4908  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4908DY-T1-E3

Attributs du produit SI4908DY-T1-E3 SI4910DY-T1-GE3 SI4904DY-T1-E3 SI4909DY-T1-GE3
Modèle de produit SI4908DY-T1-E3 SI4910DY-T1-GE3 SI4904DY-T1-E3 SI4909DY-T1-GE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V 32nC @ 10V 85nC @ 10V 63nC @ 10V
Puissance - Max 2.75W 3.1W 3.25W 3.2W
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A 7.6A 8A 8A
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.1A, 10V 27mOhm @ 6A, 10V 16mOhm @ 5A, 10V 27mOhm @ 8A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 40V 40V 40V 40V
Numéro de produit de base SI4908 SI4910 SI4904 SI4909
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 355pF @ 20V 855pF @ 20V 2390pF @ 20V 2000pF @ 20V

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI4908DY-T1-E3

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