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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4904DY-T1-GE3
SI4904DY-T1-GE3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4904DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4904DY-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4904DY-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4904DY.pdf
État RoHS
En stock: 27716

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4904DY-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI4904DY-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4904DY-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 5A, 10V  
Puissance - Max 3.25W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 20V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 40V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI4904  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4904DY-T1-GE3

Attributs du produit SI4904DY-T1-GE3 SI4908DY-T1-E3 SI4904DY-T1-E3 SI4906DY-T1-E3
Modèle de produit SI4904DY-T1-GE3 SI4908DY-T1-E3 SI4904DY-T1-E3 SI4906DY-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2390pF @ 20V 355pF @ 20V 2390pF @ 20V 625pF @ 20V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 40V 40V 40V 40V
Numéro de produit de base SI4904 SI4908 SI4904 SI4906
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 5A, 10V 60mOhm @ 4.1A, 10V 16mOhm @ 5A, 10V 39mOhm @ 5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A 5A 8A 6.6A
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V 12nC @ 10V 85nC @ 10V 22nC @ 10V
Puissance - Max 3.25W 2.75W 3.25W 3.1W

Fiche technique SI4904DY-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI4904DY-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4904DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Feuilles de données
SI4904DY.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI4904DY-T1-GE3

Vishay Siliconix
32D-SI4904DY-T1-GE3

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