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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI4622DY-T1-E3
SI4622DY-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4622DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4622DY-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4622DY-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4622DY.pdf
État RoHS
En stock: 4630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4622DY-T1-E3
Vishay Siliconix - SI4622DY-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4622DY-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries SkyFET®, TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 9.6A, 10V  
Puissance - Max 3.3W, 3.1W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2458pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI4622  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4622DY-T1-E3

Attributs du produit SI4622DY-T1-E3 SI4618DY-T1-GE3 SI4622DY-T1-GE3 SI4618DY-T1-E3
Modèle de produit SI4622DY-T1-E3 SI4618DY-T1-GE3 SI4622DY-T1-GE3 SI4618DY-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 9.6A, 10V 17mOhm @ 8A, 10V 16mOhm @ 9.6A, 10V 17mOhm @ 8A, 10V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries SkyFET®, TrenchFET® TrenchFET® SkyFET®, TrenchFET® TrenchFET®
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2458pF @ 15V 1535pF @ 15V 2458pF @ 15V 1535pF @ 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Numéro de produit de base SI4622 SI4618 SI4622 SI4618
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Puissance - Max 3.3W, 3.1W 1.98W, 4.16W 3.3W, 3.1W 1.98W, 4.16W
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A 8A, 15.2A 8A 8A, 15.2A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V 44nC @ 10V 60nC @ 10V 44nC @ 10V

Fiche technique SI4622DY-T1-E3 PDF

Téléchargez SI4622DY-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI4622DY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
SIL-0392016 16/Dec/2016.pdf
Feuilles de données
SI4622DY.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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SI4622DY-T1-E3

Vishay Siliconix
32D-SI4622DY-T1-E3

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