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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI4621DY-T1-E3
SI4621DY-T1-E3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI4621DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI4621DY-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI4621DY-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
SI4621DY.pdf
État RoHS
En stock: 5270

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI4621DY-T1-E3
Vishay Siliconix - SI4621DY-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI4621DY-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries LITTLE FOOT®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.2A (Tc)  
Numéro de produit de base SI4621  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI4621DY-T1-E3

Attributs du produit SI4621DY-T1-E3 SI4626ADY-T1-E3 SI4628DY-T1-GE3 SI4620DY-T1-E3
Modèle de produit SI4621DY-T1-E3 SI4626ADY-T1-E3 SI4628DY-T1-GE3 SI4620DY-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Séries LITTLE FOOT® TrenchFET® SkyFET®, TrenchFET® LITTLE FOOT®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 10 V 5370 pF @ 15 V 3450 pF @ 15 V 1040 pF @ 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 250µA
Numéro de produit de base SI4621 SI4626 SI4628 SI4620
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 3W (Ta), 6W (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 30 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) - - Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 5A, 10V 3.3mOhm @ 15A, 10V 3mOhm @ 20A, 10V 35mOhm @ 6A, 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.2A (Tc) 30A (Tc) 38A (Tc) 6A (Ta), 7.5A (Tc)

Fiche technique SI4621DY-T1-E3 PDF

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Feuilles de données
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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