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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI1926DL-T1-GE3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI1926DL-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI1926DL-T1-GE3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI1926DL-T1-GE3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
SI1926DL.pdf
État RoHS
En stock: 252480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI1926DL-T1-GE3
Vishay Siliconix - SI1926DL-T1-GE3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI1926DL-T1-GE3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-70-6  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 340mA, 10V  
Puissance - Max 510mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18.5pF @ 30V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 370mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI1926  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI1926DL-T1-GE3

Attributs du produit SI1926DL-T1-GE3 SI1965DH-T1-GE3 SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-E3
Modèle de produit SI1926DL-T1-GE3 SI1965DH-T1-GE3 SI1967DH-T1-BE3 SI1967DH-T1-E3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Numéro de produit de base SI1926 SI1965 SI1967 SI1967
Package composant fournisseur SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V 4.2nC @ 8V 4nC @ 10V 4nC @ 8V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18.5pF @ 30V 120pF @ 6V 110pF @ 10V 110pF @ 10V
Puissance - Max 510mW 1.25W 740mW (Ta), 1.25W (Tc) 1.25W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tension drain-source (Vdss) 60V 12V 20V 20V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 340mA, 10V 390mOhm @ 1A, 4.5V 490mOhm @ 910mA, 4.5V 490mOhm @ 910mA, 4.5V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 370mA 1.3A 1A (Ta), 1.3A (Tc) 1.3A

Fiche technique SI1926DL-T1-GE3 PDF

Téléchargez SI1926DL-T1-GE3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI1926DL-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

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Feuilles de données
SI1926DL.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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