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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSI1917EDH-T1-E3
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI1917EDH-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
SI1917EDH-T1-E3
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-SI1917EDH-T1-E3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
SI1917EDH-T1-E3.pdf
État RoHS
En stock: 4510

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI1917EDH-T1-E3
Vishay Siliconix - SI1917EDH-T1-E3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - SI1917EDH-T1-E3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 100µA (Min)  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-70-6  
Séries TrenchFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 370mOhm @ 1A, 4.5V  
Puissance - Max 570mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 12V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SI1917  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix SI1917EDH-T1-E3

Attributs du produit SI1917EDH-T1-E3 SI1965DH-T1-GE3 SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-BE3
Modèle de produit SI1917EDH-T1-E3 SI1965DH-T1-GE3 SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-BE3
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Puissance - Max 570mW 1.25W 510mW 300mW (Ta), 510mW (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 120pF @ 6V 18.5pF @ 30V 18.5pF @ 30V
Tension drain-source (Vdss) 12V 12V 60V 60V
Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 100µA (Min) 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V 4.2nC @ 8V 1.4nC @ 10V 1.4nC @ 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A 1.3A 370mA 340mA (Ta), 370mA (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 370mOhm @ 1A, 4.5V 390mOhm @ 1A, 4.5V 1.4Ohm @ 340mA, 10V 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Package composant fournisseur SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
Numéro de produit de base SI1917 SI1965 SI1926 SI1926

Fiche technique SI1917EDH-T1-E3 PDF

Téléchargez SI1917EDH-T1-E3 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour SI1917EDH-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informations environnementales
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence / EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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