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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL620STRL
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL620STRL - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRL620STRL
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRL620STRL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL620S, SiHL620S.pdf
En stock: 5240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL620STRL
Vishay Siliconix - IRL620STRL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRL620STRL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.2A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL620  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRL620STRL

Attributs du produit IRL620STRL IRL620STRLPBF IRL610A IRL630
Modèle de produit IRL620STRL IRL620STRLPBF IRL610A IRL630
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix onsemi Vishay Siliconix
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Numéro de produit de base IRL620 IRL620 IRL61 IRL630
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V ±10V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 9 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 5V 4V, 5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.2A (Tc) 5.2A (Tc) 3.3A (Tc) 9A (Tc)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-220-3 TO-220AB
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V 800mOhm @ 3.1A, 10V 1.5Ohm @ 1.65A, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 33W (Tc) 74W (Tc)

Fiche technique IRL620STRL PDF

Téléchargez IRL620STRL PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRL620STRL - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRL620S, SiHL620S.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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