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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRL620SPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRL620SPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRL620SPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRL620SPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRL620S, SiHL620S.pdf
État RoHS
En stock: 35470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRL620SPBF
Vishay Siliconix - IRL620SPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRL620SPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.2A (Tc)  
Numéro de produit de base IRL620  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRL620SPBF

Attributs du produit IRL620SPBF IRL610A IRL630 IRL620
Modèle de produit IRL620SPBF IRL610A IRL630 IRL620
Fabricant Vishay Siliconix onsemi Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±10V ±20V ±10V ±10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 5V 4V, 5V 4V, 5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.2A (Tc) 3.3A (Tc) 9A (Tc) 5.2A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 5 V 9 nC @ 5 V 40 nC @ 10 V 16 nC @ 5 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Séries - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V 1.5Ohm @ 1.65A, 5V 400mOhm @ 5.4A, 5V 800mOhm @ 3.1A, 5V
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) TO-220-3 TO-220AB TO-220AB
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 33W (Tc) 74W (Tc) 50W (Tc)
Numéro de produit de base IRL620 IRL61 IRL630 IRL620

Fiche technique IRL620SPBF PDF

Téléchargez IRL620SPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRL620SPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRL620S, SiHL620S.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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