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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFZ48PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFZ48PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFZ48PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ48PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRFZ48PBF.pdf
État RoHS
En stock: 34325

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ48PBF
Vishay Siliconix - IRFZ48PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFZ48PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 43A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFZ48  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFZ48PBF

Attributs du produit IRFZ48PBF IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48S IRFZ48VPBF
Modèle de produit IRFZ48PBF IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48S IRFZ48VPBF
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Séries - HEXFET® - HEXFET®
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc) 3.7W (Ta), 190W (Tc) 150W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 64A (Tc) 50A (Tc) 72A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK D²PAK (TO-263) TO-220AB
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 60 V 55 V 60 V 60 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 43A, 10V 14mOhm @ 32A, 10V 18mOhm @ 43A, 10V 12mOhm @ 43A, 10V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IRFZ48 IRFZ48 IRFZ48 -
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V 1970 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 1985 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRFZ48PBF PDF

Téléchargez IRFZ48PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFZ48PBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf
Feuilles de données
IRFZ48PBF.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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