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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFZ48NSTRRPBF
IRFZ48NSTRRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFZ48NSTRRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFZ48NSTRRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ48NSTRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFZ48NSTRRPBF.pdf
En stock: 3690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ48NSTRRPBF
Infineon Technologies - IRFZ48NSTRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFZ48NSTRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 32A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 130W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1970 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFZ48NSTRRPBF

Attributs du produit IRFZ48NSTRRPBF IRFZ48VPBF IRFZ48R IRFZ48S
Modèle de produit IRFZ48NSTRRPBF IRFZ48VPBF IRFZ48R IRFZ48S
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 64A (Tc) 72A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1970 pF @ 25 V 1985 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 130W (Tc) 150W (Tc) 190W (Tc) 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries HEXFET® HEXFET® - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 32A, 10V 12mOhm @ 43A, 10V 18mOhm @ 43A, 10V 18mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 60 V 60 V 60 V
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263)
Fonction FET - - - -

Fiche technique IRFZ48NSTRRPBF PDF

Téléchargez IRFZ48NSTRRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFZ48NSTRRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 19/Jun/2012.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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