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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFZ44S
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFZ44S - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFZ44S
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ44S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFZ44S/L, SiHFZ44S/L.pdf
En stock: 4310

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ44S
Vishay Siliconix - IRFZ44S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFZ44S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFZ44  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFZ44S

Attributs du produit IRFZ44S IRFZ44NSPBF IRFZ44PBF IRFZ44VPBF
Modèle de produit IRFZ44S IRFZ44NSPBF IRFZ44PBF IRFZ44VPBF
Fabricant Vishay Siliconix International Rectifier Vishay Siliconix Infineon Technologies
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 55 V 60 V 60 V
Séries - HEXFET® - HEXFET®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 1470 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1812 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 49A (Tc) 50A (Tc) 55A (Tc)
Numéro de produit de base IRFZ44 - IRFZ44 IRFZ44
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK TO-220AB TO-220AB
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 28mOhm @ 31A, 10V 16.5mOhm @ 31A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 150W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 150W (Tc) 115W (Tc)

Fiche technique IRFZ44S PDF

Téléchargez IRFZ44S PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFZ44S - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFZ44S/L, SiHFZ44S/L.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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