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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFZ44PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFZ44PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFZ44PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ44PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRFZ44PBF.pdf
État RoHS
En stock: 46670

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ44PBF
Vishay Siliconix - IRFZ44PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFZ44PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFZ44  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFZ44PBF

Attributs du produit IRFZ44PBF IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44VPBF IRFZ44STRRPBF
Modèle de produit IRFZ44PBF IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44VPBF IRFZ44STRRPBF
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) 115W (Tc) 3.7W (Ta), 150W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 55 V 60 V 60 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 31A, 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 16.5mOhm @ 31A, 10V 28mOhm @ 31A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 1470 pF @ 25 V 1812 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 49A (Tc) 55A (Tc) 50A (Tc)
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-220AB D2PAK TO-220AB D²PAK (TO-263)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
Séries - HEXFET® HEXFET® -
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IRFZ44 IRFZ44 IRFZ44 IRFZ44
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRFZ44PBF PDF

Téléchargez IRFZ44PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFZ44PBF - Vishay Siliconix.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf

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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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