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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFZ34S
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFZ34S - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFZ34S
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ34S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFZ34(S,L),SiHFZ34(S,L).pdf
En stock: 4660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ34S
Vishay Siliconix - IRFZ34S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFZ34S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFZ34  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFZ34S

Attributs du produit IRFZ34S IRFZ34NSTRR IRFZ34PBF IRFZ40
Modèle de produit IRFZ34S IRFZ34NSTRR IRFZ34PBF IRFZ40
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 60 V 55 V 60 V 60 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 88W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 88W (Tc) 150W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3
Séries - HEXFET® - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 29A (Tc) 30A (Tc) 50A (Tc)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Numéro de produit de base IRFZ34 - IRFZ34 IRFZ40
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK TO-220AB TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 18A, 10V 40mOhm @ 16A, 10V 50mOhm @ 18A, 10V 28mOhm @ 31A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRFZ34S PDF

Téléchargez IRFZ34S PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFZ34S - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFZ34(S,L),SiHFZ34(S,L).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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