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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFZ34NSTRRPBF
IRFZ34NSTRRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFZ34NSTRRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFZ34NSTRRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFZ34NSTRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRFZ34NSTRRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFZ34NSTRRPBF
Infineon Technologies - IRFZ34NSTRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFZ34NSTRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 29A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFZ34NSTRRPBF

Attributs du produit IRFZ34NSTRRPBF IRFZ34NPBF IRFZ40 IRFZ34NSPBF
Modèle de produit IRFZ34NSTRRPBF IRFZ34NPBF IRFZ40 IRFZ34NSPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix International Rectifier
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 29A (Tc) 29A (Tc) 50A (Tc) 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 16A, 10V 40mOhm @ 16A, 10V 28mOhm @ 31A, 10V 40mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 68W (Tc) 150W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 60 V 55 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Bulk
Package composant fournisseur D2PAK TO-220AB TO-220AB D2PAK

Fiche technique IRFZ34NSTRRPBF PDF

Téléchargez IRFZ34NSTRRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFZ34NSTRRPBF - Infineon Technologies.

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Mode de transport

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Italie 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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