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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU320
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFU320 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFU320
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU320
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320.pdf
En stock: 4670

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFU320
Vishay Siliconix - IRFU320 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFU320

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFU3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFU320

Attributs du produit IRFU320 IRFU2905Z IRFU320PBF IRFU320
Modèle de produit IRFU320 IRFU2905Z IRFU320PBF IRFU320
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Harris Corporation
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 1380 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-251AA IPAK (TO-251AA) TO-251AA TO-251AA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 1.9A, 10V 14.5mOhm @ 36A, 10V 1.8Ohm @ 1.9A, 10V 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Numéro de produit de base IRFU3 - IRFU320 -
Tension drain-source (Vdss) 400 V 55 V 400 V 400 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Tc) 42A (Tc) 3.1A (Tc) 3.1A (Tc)
Séries - HEXFET® - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Fiche technique IRFU320 PDF

Téléchargez IRFU320 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFU320 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFR320, IRFU320, SiHFR320, SiHFU320.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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