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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU2905ZPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFU2905ZPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFU2905ZPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU2905ZPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRFU2905ZPBF.pdf
En stock: 3620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFU2905ZPBF
Infineon Technologies - IRFU2905ZPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFU2905ZPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur IPAK (TO-251AA)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 36A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFU2905ZPBF

Attributs du produit IRFU2905ZPBF IRFU310 IRFU2905Z IRFU2405PBF
Modèle de produit IRFU2905ZPBF IRFU310 IRFU2905Z IRFU2405PBF
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc) 1.7A (Tc) 42A (Tc) 56A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 400 V 55 V 55 V
Package composant fournisseur IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Séries HEXFET® - HEXFET® -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 36A, 10V 3.6Ohm @ 1A, 10V 14.5mOhm @ 36A, 10V 16mOhm @ 34A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1380 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 1380 pF @ 25 V 2430 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Bulk
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique IRFU2905ZPBF PDF

Téléchargez IRFU2905ZPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFU2905ZPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
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Assemblage / origine PCN
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 25/Apr/2014.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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