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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR9310TR
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR9310TR - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFR9310TR
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR9310TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR9310, IRFU9310, SiHFR9310, SiHFU9310.pdf
En stock: 5220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR9310TR
Vishay Siliconix - IRFR9310TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFR9310TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFR9310  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFR9310TR

Attributs du produit IRFR9310TR IRFR9220TRRPBF IRFR9220TR IRFR9N20DTRLPBF
Modèle de produit IRFR9310TR IRFR9220TRRPBF IRFR9220TR IRFR9N20DTRLPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 86W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IRFR9310 IRFR9220 IRFR9220 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Tc) 3.6A (Tc) 3.6A (Tc) 9.4A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Tension drain-source (Vdss) 400 V 200 V 200 V 200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 25 V 340 pF @ 25 V 340 pF @ 25 V 560 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Séries - - - HEXFET®
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7Ohm @ 1.1A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 380mOhm @ 5.6A, 10V

Fiche technique IRFR9310TR PDF

Téléchargez IRFR9310TR PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFR9310TR - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFR9310, IRFU9310, SiHFR9310, SiHFU9310.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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