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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFR9N20DTRPBF
IRFR9N20DTRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFR9N20DTRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFR9N20DTRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFR9N20DTRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IRFR9N20DTRPBF.pdf
État RoHS
En stock: 4140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFR9N20DTRPBF
Infineon Technologies - IRFR9N20DTRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFR9N20DTRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 86W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.4A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFR9N20DTRPBF

Attributs du produit IRFR9N20DTRPBF IRFR9N20DTRLPBF IRFRC20 IRFRC20TRPBF
Modèle de produit IRFR9N20DTRPBF IRFR9N20DTRLPBF IRFRC20 IRFRC20TRPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V 380mOhm @ 5.6A, 10V 4.4Ohm @ 1.2A, 10V 4.4Ohm @ 1.2A, 10V
Dissipation de puissance (max) 86W (Tc) 86W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak D-Pak D-Pak
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 25 V 560 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Séries HEXFET® HEXFET® - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 600 V 600 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.4A (Tc) 9.4A (Tc) 2A (Tc) 2A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IRFR9N20DTRPBF PDF

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Italie 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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