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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFP254
IRFP254 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFP254 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFP254
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFP254
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFP254.pdf
En stock: 3920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFP254
Vishay Siliconix - IRFP254 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFP254

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFP254  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFP254

Attributs du produit IRFP254 IRFP260 IRFP260MPBF IRFP250NPBF
Modèle de produit IRFP254 IRFP260 IRFP260MPBF IRFP250NPBF
Fabricant Vishay Siliconix IXYS Infineon Technologies Infineon Technologies
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247 (IXTH) TO-247AC TO-247AC
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 250 V 200 V 200 V 200 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 14A, 10V 55mOhm @ 28A, 10V 40mOhm @ 28A, 10V 75mOhm @ 18A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc) 280W (Tc) 300W (Tc) 214W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base IRFP254 IRFP26 IRFP260 IRFP250
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc) 46A (Tc) 50A (Tc) 30A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 25 V 3900 pF @ 25 V 4057 pF @ 25 V 2159 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Séries - - HEXFET® HEXFET®
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 234 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V

Fiche technique IRFP254 PDF

Téléchargez IRFP254 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFP254 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence / EOL
SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFP254

Vishay Siliconix
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