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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFP260MPBF
IRFP260MPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFP260MPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFP260MPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFP260MPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFP260MPBF.pdf
État RoHS
En stock: 18602

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFP260MPBF
Infineon Technologies - IRFP260MPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFP260MPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 28A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4057 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 234 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFP260  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFP260MPBF

Attributs du produit IRFP260MPBF IRFP250PBF IRFP260NPBF IRFP260PBF
Modèle de produit IRFP260MPBF IRFP250PBF IRFP260NPBF IRFP260PBF
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4057 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 4057 pF @ 25 V 5200 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 234 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 234 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 190W (Tc) 300W (Tc) 280W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 28A, 10V 85mOhm @ 18A, 10V 40mOhm @ 28A, 10V 55mOhm @ 28A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries HEXFET® - HEXFET® -
Numéro de produit de base IRFP260 IRFP250 IRFP260 IRFP260
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 30A (Tc) 50A (Tc) 46A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC

Fiche technique IRFP260MPBF PDF

Téléchargez IRFP260MPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFP260MPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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