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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFP140PBF
IRFP140PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFP140PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFP140PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFP140PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 31A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFP140PBF.pdf
État RoHS
En stock: 17441

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFP140PBF
Vishay Siliconix - IRFP140PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFP140PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFP140  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFP140PBF

Attributs du produit IRFP140PBF IRFP064VPBF IRFP150A IRFP140NPBF
Modèle de produit IRFP140PBF IRFP064VPBF IRFP150A IRFP140NPBF
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Infineon Technologies
Numéro de produit de base IRFP140 - - IRFP140
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 97 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc) 250W (Tc) 193W (Tc) 140W (Tc)
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-3PN TO-247AC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc) 130A (Tc) 43A (Tc) 33A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V
Séries - HEXFET® - HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 6760 pF @ 25 V 2270 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-247-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 100 V 100 V
Emballer Tube Bag Bulk Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 19A, 10V 5.5mOhm @ 78A, 10V 40mOhm @ 21.5A, 10V 52mOhm @ 16A, 10V

Fiche technique IRFP140PBF PDF

Téléchargez IRFP140PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFP140PBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020.pdf
Emballage PCN
Packing Tube Design 19/Sep/2019.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFP140PBF

Vishay Siliconix
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