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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFP150A
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFP150A - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
IRFP150A
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-IRFP150A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 43A TO3PN
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
IRFP150A.pdf
État RoHS
En stock: 4910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFP150A
Fairchild Semiconductor - IRFP150A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - IRFP150A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PN  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 21.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 193W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2270 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 43A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor IRFP150A

Attributs du produit IRFP150A IRFP1405PBF IRFP150NPBF IRFP150
Modèle de produit IRFP150A IRFP1405PBF IRFP150NPBF IRFP150
Fabricant Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Infineon Technologies Harris Corporation
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 21.5A, 10V 5.3mOhm @ 95A, 10V 36mOhm @ 23A, 10V 55mOhm @ 25A, 10V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 97 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Bulk Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 193W (Tc) 310W (Tc) 160W (Tc) 230W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 43A (Tc) 95A (Tc) 42A (Tc) 41A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2270 pF @ 25 V 5600 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 55 V 100 V 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-3PN TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Séries - HEXFET® HEXFET® -

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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