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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFP044PBF
IRFP044PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFP044PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFP044PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFP044PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 57A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFP044.pdf
État RoHS
En stock: 3780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFP044PBF
Vishay Siliconix - IRFP044PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFP044PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 34A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 57A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFP044  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFP044PBF

Attributs du produit IRFP044PBF IRFP054PBF IRFP054N IRFP048PBF
Modèle de produit IRFP044PBF IRFP054PBF IRFP054N IRFP048PBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 55 V 60 V
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc) 230W (Tc) 170W (Tc) 190W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Bag Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 34A, 10V 14mOhm @ 54A, 10V 12mOhm @ 43A, 10V 18mOhm @ 44A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 57A (Tc) 70A (Tc) 81A (Tc) 70A (Tc)
Numéro de produit de base IRFP044 IRFP054 - IRFP048
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - - HEXFET® -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique IRFP044PBF PDF

Téléchargez IRFP044PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFP044PBF - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFP044.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
32D-IRFP044PBF

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