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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFP054N
IRFP054N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFP054N - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFP054N
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFP054N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFP054N.pdf
En stock: 4000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFP054N
Infineon Technologies - IRFP054N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFP054N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 43A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Bag  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 81A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFP054N

Attributs du produit IRFP054N IRFP044NPBF IRFP054 IRFP064PBF
Modèle de produit IRFP054N IRFP044NPBF IRFP054 IRFP064PBF
Fabricant Infineon Technologies International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 170W (Tc) 120W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 81A (Tc) 53A (Tc) 70A (Tc) 70A (Tc)
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 60 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 43A, 10V 20mOhm @ 29A, 10V 14mOhm @ 54A, 10V 9mOhm @ 78A, 10V
Emballer Bag Bulk Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 7400 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Séries HEXFET® HEXFET® - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRFP054N PDF

Téléchargez IRFP054N PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFP054N - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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