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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFL9110TRPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFL9110TRPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFL9110TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
IRFL9110.pdf
État RoHS
En stock: 86760

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFL9110TRPBF
Vishay Siliconix - IRFL9110TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFL9110TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 660mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFL9110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFL9110TRPBF

Attributs du produit IRFL9110TRPBF IRFM120A IRFL9014TRPBF IRFL9014TR
Modèle de produit IRFL9110TRPBF IRFM120A IRFL9014TRPBF IRFL9014TR
Fabricant Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 60 V 60 V
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Séries - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2.4W (Ta) 2W (Ta), 3.1W (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base IRFL9110 - IRFL9014 IRFL9014
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 660mA, 10V 200mOhm @ 1.15A, 10V 500mOhm @ 1.1A, 10V 500mOhm @ 1.1A, 10V
Package composant fournisseur SOT-223 SOT-223-4 SOT-223 SOT-223
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A (Tc) 2.3A (Ta) 1.8A (Tc) 1.8A (Tc)

Fiche technique IRFL9110TRPBF PDF

Téléchargez IRFL9110TRPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFL9110TRPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Reel Design Change 29/Dec/2022.pdf Wire/Mold Compound Update 31/Aug/2015.pdf
Feuilles de données
IRFL9110.pdf

Mode de transport

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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